产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),74W(Tc),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.5A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF730SPBF
仓库库存编号:
IRF730SPBF-ND
别名:*IRF730SPBF
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),74W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRL630SPBF
仓库库存编号:
IRL630SPBF-ND
别名:*IRL630SPBF
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),74W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 5A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 5A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) I2PAK
型号:
IRF830ALPBF
仓库库存编号:
IRF830ALPBF-ND
别名:*IRF830ALPBF
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),74W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 4.5A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) TO-262-3
型号:
IRF830LPBF
仓库库存编号:
IRF830LPBF-ND
别名:*IRF830LPBF
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),74W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.1A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF634STRRPBF
仓库库存编号:
IRF634STRRPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),74W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.5A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF730STRLPBF
仓库库存编号:
IRF730STRLPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),74W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.5A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF730STRRPBF
仓库库存编号:
IRF730STRRPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),74W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRL630STRLPBF
仓库库存编号:
IRL630STRLPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),74W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRL630STRRPBF
仓库库存编号:
IRL630STRRPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),74W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.6A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC30SPBF
仓库库存编号:
IRFBC30SPBF-ND
别名:*IRFBC30SPBF
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),74W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.6A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC30STRLPBF
仓库库存编号:
IRFBC30STRLPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),74W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 8.1A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF634S
仓库库存编号:
IRF634S-ND
别名:*IRF634S
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),74W(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 5.5A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF730S
仓库库存编号:
IRF730S-ND
别名:*IRF730S
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),74W(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 4.5A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF830S
仓库库存编号:
IRF830S-ND
别名:*IRF830S
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),74W(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 5A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF830AS
仓库库存编号:
IRF830AS-ND
别名:*IRF830AS
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),74W(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 3.6A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC30S
仓库库存编号:
IRFBC30S-ND
别名:*IRFBC30S
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),74W(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 9A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRL630S
仓库库存编号:
IRL630S-ND
别名:*IRL630S
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),74W(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 9A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRL630STRL
仓库库存编号:
IRL630STRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),74W(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 5A TO262-3
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型号:
IRF830AL
仓库库存编号:
IRF830AL-ND
别名:*IRF830AL
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),74W(Tc),
含铅
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MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-262
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型号:
IRFBC30L
仓库库存编号:
IRFBC30L-ND
别名:*IRFBC30L
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),74W(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK
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型号:
IRF634STRL
仓库库存编号:
IRF634STRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),74W(Tc),
含铅
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MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK
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型号:
IRF634STRR
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MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
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型号:
IRF730STRL
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IRF730STRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),74W(Tc),
含铅
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MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
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型号:
IRF830ASTRL
仓库库存编号:
IRF830ASTRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),74W(Tc),
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