产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 324W(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 324W(Tc) I2PAK
型号:
BUK7E1R9-40E,127
仓库库存编号:
1727-1131-ND
别名:1727-1131
568-10286
568-10286-5
568-10286-5-ND
568-10286-ND
934066982127
BUK7E1R9-40E,127-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 324W(Tc),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 324W(Tc) D2PAK
型号:
BUK962R8-60E,118
仓库库存编号:
1727-1096-1-ND
别名:1727-1096-1
568-10251-1
568-10251-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 324W(Tc),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 324W(Tc) D2PAK
型号:
BUK964R7-80E,118
仓库库存编号:
1727-1063-1-ND
别名:1727-1063-1
568-10173-1
568-10173-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 324W(Tc),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 324W(Tc) D2PAK
型号:
BUK761R7-40E,118
仓库库存编号:
1727-1088-1-ND
别名:1727-1088-1
568-10241-1
568-10241-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 324W(Tc),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 324W(Tc) D2PAK
型号:
BUK762R6-60E,118
仓库库存编号:
1727-1090-1-ND
别名:1727-1090-1
568-10243-1
568-10243-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 324W(Tc),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 324W(Tc) D2PAK
型号:
BUK764R2-80E,118
仓库库存编号:
1727-1091-1-ND
别名:1727-1091-1
568-10244-1
568-10244-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 324W(Tc),
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 120A(Tc) 324W(Tc) D2PAK
型号:
BUK761R4-30E,118
仓库库存编号:
568-10169-1-ND
别名:568-10169-1
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 324W(Tc),
不受无铅要求限制
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 120A(Tc) 324W(Tc) D2PAK
型号:
BUK961R5-30E,118
仓库库存编号:
568-10172-1-ND
别名:568-10172-1
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 324W(Tc),
不受无铅要求限制
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 120A(Tc) 324W(Tc) D2PAK
型号:
BUK961R7-40E,118
仓库库存编号:
568-10248-1-ND
别名:568-10248-1
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 324W(Tc),
无铅
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