产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 130W(Tc),
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 60A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 130W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN012-100YS,115
仓库库存编号:
1727-4289-1-ND
别名:1727-4289-1
568-4978-1
568-4978-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 130W(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 74A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 74A(Tc) 130W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN4R0-60YS,115
仓库库存编号:
1727-2470-1-ND
别名:1727-2470-1
568-12855-1
568-12855-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 130W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 33A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 33A(Tc) 130W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF540NPBF
仓库库存编号:
IRF540NPBF-ND
别名:*IRF540NPBF
64-0092PBF
64-0092PBF-ND
SP001561906
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 130W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 33A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 33A(Tc) 130W(Tc) TO-262
型号:
IRF540NLPBF
仓库库存编号:
IRF540NLPBF-ND
别名:*IRF540NLPBF
SP001571292
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 130W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 3.9A(Tc) 130W(Tc) TO-220AB
型号:
FQP4N80
仓库库存编号:
FQP4N80FS-ND
别名:FQP4N80-ND
FQP4N80FS
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 130W(Tc),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 13.7A(Ta) 130W(Tc) TO-247
型号:
TK14N65W,S1F
仓库库存编号:
TK14N65WS1F-ND
别名:TK14N65W,S1F(S
TK14N65W,S1F-ND
TK14N65WS1F
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 130W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 8A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 130W(Tc) TO-220
型号:
STP10N95K5
仓库库存编号:
497-14568-5-ND
别名:497-14568-5
STP10N95K5-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 130W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 8A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 130W(Tc) TO-247
型号:
STW10N95K5
仓库库存编号:
497-14579-5-ND
别名:497-14579-5
STW10N95K5-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 130W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 130W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3705ZPBF
仓库库存编号:
IRL3705ZPBF-ND
别名:*IRL3705ZPBF
SP001557992
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 130W(Tc),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 13.7A(Ta) 130W(Tc) TO-247
型号:
TK14N65W5,S1F
仓库库存编号:
TK14N65W5S1F-ND
别名:TK14N65W5,S1F(S
TK14N65W5S1F
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 130W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 650V 18A I2PAKFP
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 130W(Tc) I2PAKFP(TO-281)
型号:
STFI20N65M5
仓库库存编号:
497-13533-ND
别名:497-13533
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 130W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1050V 6A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 130W(Tc) TO-220
型号:
STP10N105K5
仓库库存编号:
497-15272-5-ND
别名:497-15272-5
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 130W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 18A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 130W(Tc) TO-220
型号:
STP20N65M5
仓库库存编号:
497-13538-ND
别名:497-13538
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 130W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 18A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 130W(Tc) TO-247
型号:
STW20N65M5
仓库库存编号:
497-13542-ND
别名:497-13542
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 130W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 40 V, 3.8 MOHM TYP., 1
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 130W(Tc) DPAK
型号:
STD180N4F6
仓库库存编号:
497-16938-1-ND
别名:497-16938-1
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 130W(Tc),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 13.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 13.7A(Ta) 130W(Tc) D2PAK
型号:
TK14G65W5,RQ
仓库库存编号:
TK14G65W5RQCT-ND
别名:TK14G65W5RQCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 130W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 900 V, 0.60 OHM TYP.,
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 130W(Tc) D2PAK
型号:
STB8N90K5
仓库库存编号:
497-17082-1-ND
别名:497-17082-1
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 130W(Tc),
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 15.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 15.8A(Ta) 130W(Tc) D2PAK
型号:
TK16G60W,RVQ
仓库库存编号:
TK16G60WRVQCT-ND
别名:TK16G60WRVQCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 130W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 32A(Tc) 130W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3411TRPBF
仓库库存编号:
IRFR3411TRPBFCT-ND
别名:IRFR3411TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 130W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 130W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3705ZSTRLPBF
仓库库存编号:
IRL3705ZSTRLPBFCT-ND
别名:IRL3705ZSTRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 130W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 64A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 64A(Tc) 130W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ48NPBF
仓库库存编号:
IRFZ48NPBF-ND
别名:*IRFZ48NPBF
SP001552474
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 130W(Tc),
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 44A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 44A(Tc) 130W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP44N10T
仓库库存编号:
IXTP44N10T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 130W(Tc),
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 44A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 44A(Tc) 130W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
IXTY44N10T
仓库库存编号:
IXTY44N10T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 130W(Tc),
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 900 V, 0.60 OHM TYP.,
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 130W(Tc) TO-220FP
型号:
STF8N90K5
仓库库存编号:
497-17083-ND
别名:497-17083
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 130W(Tc),
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 13.7A(Ta) 130W(Tc) TO-220
型号:
TK14E65W5,S1X
仓库库存编号:
TK14E65W5S1X-ND
别名:TK14E65W5,S1X(S
TK14E65W5S1X
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 130W(Tc),
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