产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 2.1W(Ta),42W(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 5.7A POWER33
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.7A(Ta),13.5A(Tc) 2.1W(Ta),42W(Tc) 8-MLP(3.3x3.3),Power33
型号:
FDMC5614P
仓库库存编号:
FDMC5614PCT-ND
别名:FDMC5614PCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 2.1W(Ta),42W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 220V 1A 3.3SQ MLP
详细描述:表面贴装 N 沟道 1A(Ta),7A(Tc) 2.1W(Ta),42W(Tc) 8-MLP(3.3x3.3)
型号:
FDMC2674
仓库库存编号:
FDMC2674CT-ND
别名:FDMC2674CT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 2.1W(Ta),42W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 2.2A POWER33-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.2A(Ta),9.5A(Tc) 2.1W(Ta),42W(Tc) 8-MLP(3.3x3.3)
型号:
FDMC2610
仓库库存编号:
FDMC2610CT-ND
别名:FDMC2610CT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 2.1W(Ta),42W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 12.7A(Ta),55A(Tc) 2.1W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? ST
型号:
IRF6614TRPBF
仓库库存编号:
IRF6614TRPBFCT-ND
别名:IRF6614TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 2.1W(Ta),42W(Tc),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 30V 10.4A POWERDI
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.4A(Ta),25A(Tc) 2.1W(Ta),42W(Tc) PowerDI3333-8
型号:
DMT3004LFG-13
仓库库存编号:
DMT3004LFG-13-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 2.1W(Ta),42W(Tc),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 30V 10.4A POWERDI
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.4A(Ta),25A(Tc) 2.1W(Ta),42W(Tc) PowerDI3333-8
型号:
DMT3004LFG-7
仓库库存编号:
DMT3004LFG-7-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 2.1W(Ta),42W(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 6A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Ta),27A(Tc) 2.1W(Ta),42W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF4126
仓库库存编号:
AOTF4126-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 2.1W(Ta),42W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta),55A(Tc) 2.1W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? ST
型号:
IRF6608
仓库库存编号:
IRF6608CT-ND
别名:*IRF6608
IRF6608CT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 2.1W(Ta),42W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 14A(Ta),55A(Tc) 2.1W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? ST
型号:
64-9144
仓库库存编号:
64-9144CT-ND
别名:*IRF6617
IRF6617CT
IRF6617CT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 2.1W(Ta),42W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 14A(Ta),55A(Tc) 2.1W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? ST
型号:
IRF6617TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6617TR1PBFCT-ND
别名:IRF6617TR1PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 2.1W(Ta),42W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V DIRECTFET-ST
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 12.7A(Ta),55A(Tc) 2.1W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? ST
型号:
IRF6614
仓库库存编号:
IRF6614-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 2.1W(Ta),42W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V DIRECTFET-ST
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 12.7A(Ta),55A(Tc) 2.1W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? ST
型号:
IRF6614TR1
仓库库存编号:
IRF6614TR1-ND
别名:SP001525534
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 2.1W(Ta),42W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 28A S3
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 28A(Ta),125A(Tc) 2.1W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? S3C
型号:
IRF6892STR1PBF
仓库库存编号:
IRF6892STR1PBFCT-ND
别名:IRF6892STR1PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 2.1W(Ta),42W(Tc),
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