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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7860DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7860DP-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 9.4A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7888DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7888DP-T1-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 9.4A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7888DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7888DP-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7860DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7860DP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7860DP-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 20V 4A 6DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 4A（Ta） 1.8W（Ta） 6-DFN（1.6x1.6）
  
  型号：AON1610
  仓库库存编号：AON1610-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 12V 4A 6DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12V 4A（Ta） 1.8W（Ta） 6-DFN（1.6x1.6）
  
  型号：AON1620
  仓库库存编号：AON1620-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 5A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 5A（Ta） 1.8W（Ta） SOT-223
  
  型号：BUK9840-55,115
  仓库库存编号：568-11115-1-ND
  别名：568-11115-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 5A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 5A（Ta） 1.8W（Ta） SOT-223
  
  型号：BUK9840-55,115
  仓库库存编号：568-11115-6-ND
  别名：568-11115-6
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Ta） 1.8W（Ta） 8-SOP
  
  型号：RJK0355DSP-01#J0
  仓库库存编号：RJK0355DSP-01#J0-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 5.7A（Ta） 1.8W（Ta） Micro8?
  
  型号：IRF7601TR
  仓库库存编号：IRF7601CT-ND
  别名：*IRF7601TR
  IRF7601
  IRF7601CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 5.6A MICRO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 5.6A（Ta） 1.8W（Ta） Micro8?
  
  型号：IRF7603TR
  仓库库存编号：IRF7603CT-ND
  别名：*IRF7603TR
  IRF7603
  IRF7603CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 3.6A MICRO8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 3.6A（Ta） 1.8W（Ta） Micro8?
  
  型号：IRF7604TR
  仓库库存编号：IRF7604CT-ND
  别名：*IRF7604TR
  IRF7604
  IRF7604CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 8.2A MICRO8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 8.2A（Ta） 1.8W（Ta） Micro8?
  
  型号：IRF7663TR
  仓库库存编号：IRF7663CT-ND
  别名：*IRF7663TR
  IRF7663CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 6.5A（Ta） 1.8W（Ta） Micro8?
  
  型号：IRF7607
  仓库库存编号：IRF7607-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 240V 350mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP129E6327
  仓库库存编号：BSP129INCT-ND
  别名：BSP129INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 1.8A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP295E6327
  仓库库存编号：BSP295INCT-ND
  别名：BSP295INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1.17A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP315P-E6327
  仓库库存编号：BSP315PINCT-ND
  别名：BSP315PE6327
  BSP315PINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP170PE6327
  仓库库存编号：BSP170PE6327INCT-ND
  别名：BSP170PE6327INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP171PE6327
  仓库库存编号：BSP171PE6327INCT-ND
  别名：BSP171PE6327INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 0.68A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 680mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP316PE6327
  仓库库存编号：BSP316PE6327INCT-ND
  别名：BSP316PE6327INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 250V 0.43A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 250V 430mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP317PE6327
  仓库库存编号：BSP317PE6327INCT-ND
  别名：BSP317PE6327INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 240V 350mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP129E6327T
  仓库库存编号：BSP129XTINCT-ND
  别名：BSP129XTINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP170PE6327T
  仓库库存编号：BSP170PE6327XTINCT-ND
  别名：BSP170PE6327XTINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP171PE6327T
  仓库库存编号：BSP171PE6327XTINCT-ND
  别名：BSP171PE6327XTINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 1.8A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP295E6327T
  仓库库存编号：BSP295XTINCT-ND
  别名：BSP295XTINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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