产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1.17A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP315PE6327T
仓库库存编号：
BSP315PXTINCT-ND
别名：BSP315PXTINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 0.68A SOT223
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 680mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP316PE6327T
仓库库存编号：
BSP316PE6327XTINCT-ND
别名：BSP316PE6327XTINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 250V 0.43A SOT223
详细描述：表面贴装 P 沟道 250V 430mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP317PE6327T
仓库库存编号：
BSP317PE6327XTINCT-ND
别名：BSP317PE6327XTINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 120mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP125 E6327
仓库库存编号：
BSP125 E6327-ND
别名：BSP125E6327T
SP000011100
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 120mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP125 E6433
仓库库存编号：
BSP125 E6433-ND
别名：BSP125E6433T
SP000011101
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 240V 350mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP129L6327HTSA1
仓库库存编号：
BSP129L6327HTSA1TR-ND
别名：BSP129 L6327
BSP129 L6327-ND
BSP129L6327XT
SP000089218
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 240V 350mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP129L6906HTSA1
仓库库存编号：
BSP129L6906HTSA1TR-ND
别名：BSP129 L6906
BSP129 L6906-ND
BSP129L6906XT
SP000089219
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 120mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP135 E6327
仓库库存编号：
BSP135 E6327-ND
别名：BSP135E6327T
SP000011103
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 120mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP135 E6906
仓库库存编号：
BSP135 E6906-ND
别名：BSP135E6906T
SP000055417
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 120mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP135L6906HTSA1
仓库库存编号：
BSP135L6906HTSA1TR-ND
别名：BSP135 L6906
BSP135 L6906-ND
BSP135L6906XT
SP000089207
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 660mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP149 E6327
仓库库存编号：
BSP149 E6327-ND
别名：BSP149E6327T
SP000011104
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 660mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP149 E6906
仓库库存编号：
BSP149 E6906-ND
别名：BSP149E6906T
SP000055414
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 660mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP149L6906HTSA1
仓库库存编号：
BSP149L6906HTSA1TR-ND
别名：BSP149 L6906
BSP149 L6906-ND
BSP149L6906XT
SP000089215
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 660mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP297 E6327
仓库库存编号：
BSP297 E6327-ND
别名：BSP297E6327T
SP000011108
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 400V 500MA SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 500mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP298 E6327
仓库库存编号：
BSP298 E6327-ND
别名：BSP298E6327T
SP000011109
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 400V 500MA SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 500mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP298L6327HUSA1
仓库库存编号：
BSP298L6327HUSA1TR-ND
别名：BSP298 L6327
BSP298 L6327-ND
BSP298L6327XT
SP000088258
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 400MA SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 400mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP299 E6327
仓库库存编号：
BSP299 E6327-ND
别名：BSP299E6327T
SP000011110
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 190mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP300 E6327
仓库库存编号：
BSP300 E6327-ND
别名：BSP300E6327T
SP000011111
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 190mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP300L6327HUSA1
仓库库存编号：
BSP300L6327HUSA1TR-ND
别名：BSP300 L6327
BSP300 L6327-ND
BSP300L6327XT
SP000089201
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 2.6A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP318S E6327
仓库库存编号：
BSP318S E6327-ND
别名：BSP318SE6327T
SP000011112
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 2.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP320S E6327
仓库库存编号：
BSP320S E6327-ND
别名：BSP320SE6327T
SP000011115
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 2.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP320S E6433
仓库库存编号：
BSP320S E6433-ND
别名：BSP320SE6433T
SP000011116
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 400V 170MA SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 170mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP324 E6327
仓库库存编号：
BSP324 E6327-ND
别名：BSP324E6327T
SP000011117
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 1.7A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP372 E6327
仓库库存编号：
BSP372 E6327-ND
别名：BSP372E6327T
SP000011120
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 1.7A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP373 E6327
仓库库存编号：
BSP373 E6327-ND
别名：BSP373E6327T
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产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
含铅
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