产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 5.2A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 5.2A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP603S2LHUMA1
仓库库存编号：
BSP603S2LHUMA1-ND
别名：BSP603S2L
BSP603S2L-ND
BSP603S2LT
SP000013597
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 2.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP613P
仓库库存编号：
BSP613P-ND
别名：BSP613PT
SP000012301
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 2.8A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP615S2L
仓库库存编号：
BSP615S2L-ND
别名：BSP615S2LT
SP000013181
SP000440622
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 240V 350mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP89 E6327
仓库库存编号：
BSP89 E6327-ND
别名：BSP89E6327T
SP000011160
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 250V 0.26A SOT-223
详细描述：表面贴装 P 沟道 250V 260mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP92P E6327
仓库库存编号：
BSP92P E6327-ND
别名：BSP92PE6327T
SP000014253
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 0.3A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 300mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
SPN01N60C3
仓库库存编号：
SPN01N60C3-ND
别名：SP000012411
SPN01N60C3T
SPN01N60C3XT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 0.4A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 400mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
SPN02N60C3
仓库库存编号：
SPN02N60C3-ND
别名：SP000101878
SPN02N60C3XT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 0.4A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 400mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
SPN02N60C3 E6433
仓库库存编号：
SPN02N60C3 E6433-ND
别名：SP000101883
SPN02N60C3E6433XT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.4A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 400mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
SPN02N60S5
仓库库存编号：
SPN02N60S5-ND
别名：SP000012412
SP000101880
SPN02N60S5T
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 0.7A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 700mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
SPN03N60C3
仓库库存编号：
SPN03N60C3-ND
别名：SP000014455
SP000101879
SPN03N60C3T
SPN03N60C3XT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.7A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 700mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
SPN03N60S5
仓库库存编号：
SPN03N60S5-ND
别名：SP000012413
SP000101881
SPN03N60S5T
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.8A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 800mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
SPN04N60S5
仓库库存编号：
SPN04N60S5-ND
别名：SP000012414
SP000101882
SPN04N60S5T
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT-223
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP170PL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSP170PL6327HTSA1CT-ND
别名：BSP170PL6327
BSP170PL6327INCT
BSP170PL6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT-223
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP171PL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSP171PL6327HTSA1CT-ND
别名：BSP171PL6327
BSP171PL6327INCT
BSP171PL6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 1.8A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP295L6327HTSA1
仓库库存编号：
BSP295L6327HTSA1CT-ND
别名：BSP295L6327
BSP295L6327INCT
BSP295L6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 660mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP297L6327HTSA1
仓库库存编号：
BSP297L6327HTSA1CT-ND
别名：BSP297L6327
BSP297L6327INCT
BSP297L6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1.17A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP315PL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSP315PL6327HTSA1CT-ND
别名：BSP315PL6327
BSP315PL6327INCT
BSP315PL6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 0.68A SOT-223
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 680mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP316PL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSP316PL6327HTSA1CT-ND
别名：BSP316PL6327
BSP316PL6327INCT
BSP316PL6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 250V 0.43A SOT-223
详细描述：表面贴装 P 沟道 250V 430mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP317PL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSP317PL6327HTSA1CT-ND
别名：BSP317PL6327
BSP317PL6327INCT
BSP317PL6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 1.7A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP372L6327HTSA1
仓库库存编号：
BSP372L6327HTSA1CT-ND
别名：BSP372L6327
BSP372L6327INCT
BSP372L6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 1.7A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP373L6327HTSA1
仓库库存编号：
BSP373L6327HTSA1CT-ND
别名：BSP373L6327INCT
BSP373L6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 2.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP613PL6327HUSA1
仓库库存编号：
BSP613PL6327HUSA1CT-ND
别名：BSP613PL6327
BSP613PL6327INCT
BSP613PL6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 240V 350mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP89L6327HTSA1
仓库库存编号：
BSP89L6327HTSA1CT-ND
别名：BSP89L6327
BSP89L6327INCT
BSP89L6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 250V 0.26A SOT-223
详细描述：表面贴装 P 沟道 250V 260mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP92PL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSP92PL6327HTSA1CT-ND
别名：BSP92PL6327
BSP92PL6327INCT
BSP92PL6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 660mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP149L6327HTSA1
仓库库存编号：
BSP149L6327HTSA1CT-ND
别名：BSP149L6327
BSP149L6327INCT
BSP149L6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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