产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1.8W(Ta),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 2.6A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP318SL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSP318SL6327HTSA1CT-ND
别名:BSP318SL6327
BSP318SL6327INCT
BSP318SL6327INCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1.8W(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 5.6A MICRO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 5.6A(Ta) 1.8W(Ta) Micro8?
型号:
IRF7603TRPBF
仓库库存编号:
IRF7603TRPBFCT-ND
别名:IRF7603TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1.8W(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 8.2A MICRO8
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 8.2A(Ta) 1.8W(Ta) Micro8?
型号:
IRF7663TRPBF
仓库库存编号:
IRF7663TRPBFCT-ND
别名:IRF7663TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1.8W(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 0.98A SOT-223
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 980mA(Tc) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP321PL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSP321PL6327HTSA1TR-ND
别名:BSP321P L6327
BSP321P L6327-ND
SP000212228
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1.8W(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 1A(Tc) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP322PL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSP322PL6327HTSA1TR-ND
别名:BSP322P L6327
BSP322P L6327-ND
SP000212229
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1.8W(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 3.6A MICRO8
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 3.6A(Ta) 1.8W(Ta) Micro8?
型号:
IRF7604TRPBF
仓库库存编号:
IRF7604TRPBFCT-ND
别名:IRF7604TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1.8W(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 120mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP125L6433HTMA1
仓库库存编号:
BSP125L6433HTMA1CT-ND
别名:BSP125 L6433CT
BSP125 L6433CT-ND
BSP125L6433
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1.8W(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 120mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP135L6433HTMA1
仓库库存编号:
BSP135L6433HTMA1CT-ND
别名:BSP135 L6433CT
BSP135 L6433CT-ND
BSP135L6433
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1.8W(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 2.9A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP320SL6433HTMA1
仓库库存编号:
BSP320SL6433HTMA1CT-ND
别名:BSP320S L6433CT
BSP320S L6433CT-ND
BSP320SL6433
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1.8W(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 400MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 400mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP299L6327HUSA1
仓库库存编号:
BSP299L6327HUSA1CT-ND
别名:BSP299 L6327CT
BSP299 L6327CT-ND
BSP299L6327
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1.8W(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 400V 170MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 170mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP324L6327HTSA1
仓库库存编号:
BSP324L6327HTSA1CT-ND
别名:BSP324 L6327CT
BSP324 L6327CT-ND
BSP324L6327
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