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• Sanken
  MOSFET N-CH 30V 85A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 85A（Tc） 135W（Tc） TO-263-3
  
  型号：SKI03021
  仓库库存编号：SKI03021CT-ND
  别名：SKI03021CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 135W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 40V 85A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 85A（Tc） 135W（Tc） TO-263
  
  型号：SKI04024
  仓库库存编号：SKI04024CT-ND
  别名：SKI04024CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 135W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 60V 85A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 85A（Tc） 135W（Tc） TO-263
  
  型号：SKI06048
  仓库库存编号：SKI06048CT-ND
  别名：SKI06048CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 135W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 75V 85A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 85A（Tc） 135W（Tc） TO-263
  
  型号：SKI07074
  仓库库存编号：SKI07074CT-ND
  别名：SKI07074CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 135W（Tc）,
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• Sanken
  MOSFET N-CH 100V 66A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 66A（Tc） 135W（Tc） TO-263
  
  型号：SKI10123
  仓库库存编号：SKI10123CT-ND
  别名：SKI10123CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 135W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 5.8A（Tc） 135W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP6NB90
  仓库库存编号：497-2786-5-ND
  别名：497-2786-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 135W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 250V 22A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 22A（Tc） 135W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB22NS25ZT4
  仓库库存编号：STB22NS25ZT4-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 135W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 250V 22A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 22A（Tc） 135W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP22NS25Z
  仓库库存编号：497-6740-5-ND
  别名：497-6740-5
  STP22NS25Z-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 135W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 12A（Ta），75A（Tc） 135W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FDP10AN06A0
  仓库库存编号：FDP10AN06A0-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 135W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 75A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 12A（Ta），75A（Tc） 135W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB10AN06A0
  仓库库存编号：FDB10AN06A0-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 135W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 29A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 4A（Ta），29A（Tc） 135W（Tc） TO-251AA
  
  型号：FDU2572
  仓库库存编号：FDU2572-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 135W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 9A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 9A（Tc） 135W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP9N50C
  仓库库存编号：FQP9N50C-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 135W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 9A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 9A（Tc） 135W（Tc） I2PAK（TO-262）
  
  型号：FQI9N50CTU
  仓库库存编号：FQI9N50CTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 135W（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 3.5A（Tc） 135W（Tc） TO-220 [K]
  
  型号：APT1204R7KFLLG
  仓库库存编号：APT1204R7KFLLG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 135W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 135W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N06S3-07
  仓库库存编号：IPB80N06S3-07-ND
  别名：IPB80N06S307XT
  SP000088065
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 135W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 135W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI80N06S3-07
  仓库库存编号：IPI80N06S3-07IN-ND
  别名：IPI80N06S3-07-ND
  IPI80N06S3-07IN
  IPI80N06S307X
  IPI80N06S307XK
  SP000088064
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 135W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 135W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP80N06S3-07
  仓库库存编号：IPP80N06S3-07-ND
  别名：IPP80N06S307X
  IPP80N06S307XK
  SP000088067
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 135W（Tc）,
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