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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 97A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 97A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：NTP5863NG
  仓库库存编号：NTP5863NG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N CH 300V 11.5A TO252
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 11.5A（Tc） 150W（Tc） TO-251A
  
  型号：AOI468
  仓库库存编号：785-1387-2-ND
  别名：785-1387-2
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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  无铅
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 450V 22A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 450V 22A（Ta） 150W（Tc） TO-3P
  
  型号：RJK4514DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJK4514DPK-00#T0-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
• 无铅
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 600V 21A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 21A（Ta） 150W（Tc） TO-3P
  
  型号：RJK6015DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJK6015DPK-00#T0-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
• 无铅
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 500V 19A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 19A（Ta） 150W（Tc） TO-3P
  
  型号：RJL5014DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJL5014DPK-00#T0-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
• 无铅
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 600V 11A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 16A（Ta） 150W（Tc） TO-3P
  
  型号：RJK6014DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJK6014DPK-00#T0-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
• 无铅
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• Microsemi Corporation
  P CHANNEL MOSFET
  详细描述：通孔 P 沟道 100V 25A（Tc） 150W（Tc） TO-3
  
  型号：JAN2N6898
  仓库库存编号：JAN2N6898-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  P CHANNEL MOSFET
  详细描述：通孔 P 沟道 100V 25A（Tc） 150W（Tc） TO-3
  
  型号：JANTX2N6898
  仓库库存编号：JANTX2N6898-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
• 含铅
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• Microsemi Corporation
  P CHANNEL MOSFET
  详细描述：通孔 P 沟道 100V 25A（Tc） 150W（Tc） TO-3
  
  型号：JANTXV2N6898
  仓库库存编号：JANTXV2N6898-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 18A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：64-0007
  仓库库存编号：64-0007-ND
  别名：*IRF640N
  IRF640N
  IRF640N-ND
  SP001522470
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 18A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 18A（Tc） 150W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF640NL
  仓库库存编号：IRF640NL-ND
  别名：*IRF640NL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 72A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 72A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFZ48VS
  仓库库存编号：IRFZ48VS-ND
  别名：*IRFZ48VS
  SP001557876
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 35A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 35A（Tc） 150W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP35N10
  仓库库存编号：SPP35N10IN-ND
  别名：SP000013851
  SPP35N10IN
  SPP35N10X
  SPP35N10XTIN
  SPP35N10XTIN-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP80N03S2L-06
  仓库库存编号：SPP80N03S2L-06IN-ND
  别名：SP000014061
  SPP80N03S2L-06IN
  SPP80N03S2L-06XTIN
  SPP80N03S2L-06XTIN-ND
  SPP80N03S2L06X
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 80A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP03N03LA
  仓库库存编号：IPP03N03LAIN-ND
  别名：IPP03N03LAIN
  IPP03N03LAX
  IPP03N03LAXTIN
  IPP03N03LAXTIN-ND
  SP000014035
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB35N10
  仓库库存编号：SPB35N10INTR-ND
  别名：SPB35N10INTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD35N10
  仓库库存编号：SPD35N10INCT-ND
  别名：SPD35N10INCT
  SPD35N10XTINCT
  SPD35N10XTINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N03S2L-06
  仓库库存编号：SPB80N03S2L06INCT-ND
  别名：SPB80N03S2L06INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-5
  
  型号：SPD100N03S2L-04
  仓库库存编号：SPD100N03S2L-INTR-ND
  别名：SPD100N03S2L-INTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 12A TO-3-3
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 12A（Tc） 150W（Tc） TO-204AA（TO-3）
  
  型号：IRF450
  仓库库存编号：IRF450-ND
  别名：*IRF450
  Q2009037
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB35N10T
  仓库库存编号：SPB35N10T-ND
  别名：SP000013627
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N03S2L06T
  仓库库存编号：SPB80N03S2L06T-ND
  别名：SP000016264
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-5
  
  型号：SPD100N03S2L04T
  仓库库存编号：SPD100N03S2L04T-ND
  别名：SP000013966
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 200V 21.1A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 21.1A（Tc） 150W（Tc） DPAK
  
  型号：PHD22NQ20T,118
  仓库库存编号：PHD22NQ20T,118-ND
  别名：934058112118
  PHD22NQ20T /T3
  PHD22NQ20T /T3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 25V 75A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 75A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PHP152NQ03LTA,127
  仓库库存编号：PHP152NQ03LTA,127-ND
  别名：934058431127
  PHP152NQ03LTA
  PHP152NQ03LTA-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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