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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB03N03LA
  仓库库存编号：IPB03N03LA-ND
  别名：IPB03N03LAT
  SP000014034
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB03N03LB
  仓库库存编号：IPB03N03LB-ND
  别名：IPB03N03LBT
  SP000074722
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 80A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI03N03LA
  仓库库存编号：IPI03N03LA-ND
  别名：IPI03N03LAX
  SP000014036
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP03N03LB G
  仓库库存编号：IPP03N03LBGIN-ND
  别名：IPP03N03LB G-ND
  IPP03N03LBGIN
  IPP03N03LBGX
  IPP03N03LBGXK
  SP000074721
  SP000680786
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB35N10 G
  仓库库存编号：SPB35N10 G-ND
  别名：SP000102172
  SPB35N10GXT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N03S2L-06 G
  仓库库存编号：SPB80N03S2L-06 G-ND
  别名：SP000200145
  SPB80N03S2L06GXT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 35A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 35A（Tc） 150W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI35N10
  仓库库存编号：SPI35N10-ND
  别名：SP000013852
  SPI35N10X
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI80N03S2L-06
  仓库库存编号：SPI80N03S2L-06-ND
  别名：SP000016265
  SPI80N03S2L06X
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 80A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB03N03LA G
  仓库库存编号：IPB03N03LAGINCT-ND
  别名：IPB03N03LAG
  IPB03N03LAGINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 72A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 72A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFZ48VSTRLPBF
  仓库库存编号：IRFZ48VSTRLPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD068N10N3GBTMA1
  仓库库存编号：IPD068N10N3GBTMA1TR-ND
  别名：IPD068N10N3 G
  IPD068N10N3 G-ND
  SP000469892
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI057N08N3 G
  仓库库存编号：IPI057N08N3 G-ND
  别名：SP000395182
  SP000680662
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 50A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 50A（Tc） 150W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI200N15N3 G
  仓库库存编号：IPI200N15N3 G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 55A（Tc） 150W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK9213-30A,118
  仓库库存编号：BUK9213-30A,118-ND
  别名：934057315118
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 55A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 55A（Tc） 150W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK7213-40A,118
  仓库库存编号：BUK7213-40A,118-ND
  别名：934058199118
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 50A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD200N15N3GBTMA1
  仓库库存编号：IPD200N15N3GBTMA1CT-ND
  别名：IPD200N15N3 GCT
  IPD200N15N3 GCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB90N06S404ATMA1
  仓库库存编号：IPB90N06S404ATMA1TR-ND
  别名：IPB90N06S4-04
  IPB90N06S4-04-ND
  SP000379632
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB90N06S4L04ATMA1
  仓库库存编号：IPB90N06S4L04ATMA1TR-ND
  别名：IPB90N06S4L-04
  IPB90N06S4L-04-ND
  SP000415574
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD90N06S404ATMA1
  仓库库存编号：IPD90N06S404ATMA1TR-ND
  别名：IPD90N06S4-04
  IPD90N06S4-04-ND
  SP000374323
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD90N06S4L03ATMA1
  仓库库存编号：IPD90N06S4L03ATMA1TR-ND
  别名：IPD90N06S4L-03
  IPD90N06S4L-03-ND
  SP000374326
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 75V 80A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI052NE7N3 G
  仓库库存编号：IPI052NE7N3 G-ND
  别名：IPI052NE7N3G
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI90N06S4L04AKSA1
  仓库库存编号：IPI90N06S4L04AKSA1-ND
  别名：IPI90N06S4L-04
  IPI90N06S4L-04-ND
  SP000415696
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP90N06S404AKSA1
  仓库库存编号：IPP90N06S404AKSA1-ND
  别名：IPP90N06S4-04
  IPP90N06S4-04-ND
  SP000379634
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP90N06S4L04AKSA1
  仓库库存编号：IPP90N06S4L04AKSA1-ND
  别名：IPP90N06S4L-04
  IPP90N06S4L-04-ND
  SP000415712
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD100N06S403ATMA1
  仓库库存编号：IPD100N06S403ATMA1TR-ND
  别名：IPD100N06S4-03
  IPD100N06S4-03-ND
  SP000415576
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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