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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 18A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 150W（Tc） TO-247
  
  型号：STW25N60M2-EP
  仓库库存编号：STW25N60M2-EP-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 7.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 7.5A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP9NK80Z
  仓库库存编号：497-5133-5-ND
  别名：497-5133-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 400V 15A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP17NK40Z
  仓库库存编号：497-12610-5-ND
  别名：497-12610-5
  STP17NK40Z-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 11A I2PAK-3
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 150W（Tc） I2PAK（TO-262）
  
  型号：STI11NM80
  仓库库存编号：497-13106-5-ND
  别名：497-13106-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N CH 250V 14A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 150W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD458
  仓库库存编号：785-1353-1-ND
  别名：785-1353-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 20A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 150W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：HUF76629D3ST_F085
  仓库库存编号：HUF76629D3ST_F085CT-ND
  别名：HUF76629D3ST_F085CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N CH 300V 11.5A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.5A（Tc） 150W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD468
  仓库库存编号：785-1354-1-ND
  别名：785-1354-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N CH 300V 11.5A TO252
  详细描述：通孔 N 沟道 11.5A（Tc） 150W（Tc） TO-251A
  
  型号：AOI468
  仓库库存编号：785-1387-5-ND
  别名：785-1387-1
  785-1387-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 200V 20A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 20A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
  
  型号：PHB20NQ20T,118
  仓库库存编号：1727-7201-1-ND
  别名：1727-7201-1
  568-9692-1
  568-9692-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  N-CHANNEL_30/40V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 150W（Tc） PG-TDSON-8-34
  
  型号：IPC100N04S5L1R1ATMA1
  仓库库存编号：IPC100N04S5L1R1ATMA1CT-ND
  别名：IPC100N04S5L1R1ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 200A（Tc） 150W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SQJQ402E-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJQ402E-T1_GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 61A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Ta），61A（Tc） 150W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP3652
  仓库库存编号：FDP3652-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 150W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SQM100N02-3M5L_GE3
  仓库库存编号：SQM100N02-3M5L_GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：通孔 P 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SQP50P03-07_GE3
  仓库库存编号：SQP50P03-07_GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  P-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40A（Tc） 150W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SQM40P10-40L_GE3
  仓库库存编号：SQM40P10-40L_GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SQM50N04-4M0L_GE3
  仓库库存编号：SQM50N04-4M0L_GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SQM50P04-09L_GE3
  仓库库存编号：SQM50P04-09L_GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SQM50P06-15L_GE3
  仓库库存编号：SQM50P06-15L_GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SQM50P08-25L_GE3
  仓库库存编号：SQM50P08-25L_GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 50A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SQM50N04-4M1_GE3
  仓库库存编号：SQM50N04-4M1_GE3-ND
  别名：SQM50N04-4M1-GE3
  SQM50N04-4M1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N CH 150V 5A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Ta），37A（Tc） 150W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB2552_F085
  仓库库存编号：FDB2552_F085CT-ND
  别名：FDB2552_F085CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 55V 90A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP90N055T2
  仓库库存编号：IXTP90N055T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 40V 100A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 150W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA100N04T2
  仓库库存编号：IXTA100N04T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 75V 70A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 150W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA70N075T2
  仓库库存编号：IXTA70N075T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 55V 90A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 150W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA90N055T2
  仓库库存编号：IXTA90N055T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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