产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 150W(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 7A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP7N60P
仓库库存编号:
IXTP7N60P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 150W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 8A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP8N50P
仓库库存编号:
IXTP8N50P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 150W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET P-CH 150V 15A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 15A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP15P15T
仓库库存编号:
IXTP15P15T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 150W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 100V 26A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 26A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP26P10T
仓库库存编号:
IXTP26P10T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 150W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 50V 48A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 48A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP48P05T
仓库库存编号:
IXTP48P05T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 150W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP4N100P
仓库库存编号:
IXFP4N100P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 150W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 150V 15A TO-252
详细描述:表面贴装 P 沟道 15A(Tc) 150W(Tc) TO-252
型号:
IXTY15P15T
仓库库存编号:
IXTY15P15T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 150W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 100V 26A TO-252
详细描述:表面贴装 P 沟道 26A(Tc) 150W(Tc) TO-252
型号:
IXTY26P10T
仓库库存编号:
IXTY26P10T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 150W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 50V 48A TO-252
详细描述:表面贴装 P 沟道 48A(Tc) 150W(Tc) TO-252
型号:
IXTY48P05T
仓库库存编号:
IXTY48P05T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 150W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 150V 15A TO-263
详细描述:表面贴装 P 沟道 15A(Tc) 150W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA15P15T
仓库库存编号:
IXTA15P15T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 150W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 100V 26A TO-263
详细描述:表面贴装 P 沟道 26A(Tc) 150W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA26P10T
仓库库存编号:
IXTA26P10T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 150W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 50V 48A TO-263
详细描述:表面贴装 P 沟道 48A(Tc) 150W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA48P05T
仓库库存编号:
IXTA48P05T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 150W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 4A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 150W(Tc) TO-263(IXFA)
型号:
IXFA4N100P
仓库库存编号:
IXFA4N100P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 150W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 450V 9.5A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 9.5A(Tc) 150W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP344
仓库库存编号:
IRFP344-ND
别名:*IRFP344
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 150W(Tc),
含铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 60V 100A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 110A(Ta) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
RJK0602DPN-E0#T2
仓库库存编号:
RJK0602DPN-E0#T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 150W(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 100V 70A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 70A(Ta) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
RJK1002DPN-E0#T2
仓库库存编号:
RJK1002DPN-E0#T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 150W(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 250V 50A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Ta) 150W(Tc) TO-3P
型号:
RJK2508DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJK2508DPK-00#T0-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 150W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1100V 3A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Tc) 150W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA3N110
仓库库存编号:
IXTA3N110-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 150W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH ISOPLUS-247
详细描述:通孔 N 沟道 36A(Tc) 150W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXTR62N15P
仓库库存编号:
IXTR62N15P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 150W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1100V 3A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 3A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP3N110
仓库库存编号:
IXTP3N110-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 150W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 150W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH4N100Q
仓库库存编号:
IXFH4N100Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 150W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 150W(Tc) TO-268
型号:
IXFT4N100Q
仓库库存编号:
IXFT4N100Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 150W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 150V 22A ISOPLUS247
详细描述:通孔 P 沟道 22A(Tc) 150W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXTR36P15P
仓库库存编号:
IXTR36P15P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 150W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 25A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 250V 25A(Tc) 150W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXTR30N25
仓库库存编号:
IXTR30N25-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 150W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 90A(Tc) 150W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD90N06S404ATMA2
仓库库存编号:
IPD90N06S404ATMA2-ND
别名:SP001028762
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 150W(Tc),
无铅
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