产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1.8W(Ta),200W(Tc),
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 40V 100A TO-263
详细描述:表面贴装 P 沟道 100A(Tc) 1.8W(Ta),200W(Tc) TO-263
型号:
NP100P04PDG-E1-AY
仓库库存编号:
NP100P04PDG-E1-AY-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1.8W(Ta),200W(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 60V 100A TO-263
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 100A(Tc) 1.8W(Ta),200W(Tc) TO-263
型号:
NP100P06PDG-E1-AY
仓库库存编号:
NP100P06PDG-E1-AY-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1.8W(Ta),200W(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 60V 100A TO-263
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 100A(Tc) 1.8W(Ta),200W(Tc) TO-263
型号:
NP100P06PLG-E1-AY
仓库库存编号:
NP100P06PLG-E1-AY-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1.8W(Ta),200W(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 75V 84A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 84A(Tc) 1.8W(Ta),200W(Tc) TO-263
型号:
NP84N075KUE-E1-AY
仓库库存编号:
NP84N075KUE-E1-AY-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1.8W(Ta),200W(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 88A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 40V 88A(Tc) 1.8W(Ta),200W(Tc) TO-262
型号:
NP88N04NUG-S18-AY
仓库库存编号:
NP88N04NUG-S18-AY-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1.8W(Ta),200W(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 88A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 88A(Tc) 1.8W(Ta),200W(Tc) TO-263
型号:
NP88N055KUG-E1-AY
仓库库存编号:
NP88N055KUG-E1-AY-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1.8W(Ta),200W(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 40V 100A TO-263
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 100A(Tc) 1.8W(Ta),200W(Tc) TO-263
型号:
NP100P04PLG-E1-AY
仓库库存编号:
NP100P04PLG-E1-AYTR-ND
别名:NP100P04PLG-E1-AY-ND
NP100P04PLG-E1-AYTR
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1.8W(Ta),200W(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 88A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 88A(Tc) 1.8W(Ta),200W(Tc) TO-263
型号:
NP88N03KDG-E1-AY
仓库库存编号:
NP88N03KDG-E1-AYCT-ND
别名:NP88N03KDG-E1-AYCT
NP88N03KDGE1AY
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1.8W(Ta),200W(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 88A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 88A(Tc) 1.8W(Ta),200W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
NP88N04KUG-E1-AY
仓库库存编号:
NP88N04KUG-E1-AY-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1.8W(Ta),200W(Tc),
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