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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 557A D2PAK-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 557A（Tc） 416W（Tc） D2PAK（7-Lead）
  
  型号：IRL40SC228
  仓库库存编号：IRL40SC228CT-ND
  别名：IRL40SC228CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 416W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 500V 30A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 30A（Tc） 416W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX30N50Q
  仓库库存编号：IXFX30N50Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 416W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 500V 32A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 32A（Tc） 416W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX32N50Q
  仓库库存编号：IXFX32N50Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 416W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 500V 32A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 32A（Tc） 416W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK32N50Q
  仓库库存编号：IXFK32N50Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 416W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 500V 30A TO-264AA
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 30A（Tc） 416W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK30N50Q
  仓库库存编号：IXFK30N50Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 416W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 33A TO-264AA
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 33A（Tc） 416W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK33N50
  仓库库存编号：IXFK33N50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 416W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 500V 33A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 33A（Tc） 416W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK33N50
  仓库库存编号：IXTK33N50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 416W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 1KV 22A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 22A（Tc） 416W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR24N100
  仓库库存编号：IXFR24N100-ND
  别名：Q1157068B
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 416W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 28A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 28A（Tc） 416W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR34N80
  仓库库存编号：IXFR34N80-ND
  别名：Q1149424
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 416W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 35A TO-264AA
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 35A（Tc） 416W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK35N50
  仓库库存编号：IXFK35N50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 416W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 28A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 28A（Tc） 416W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR38N80Q2
  仓库库存编号：IXFR38N80Q2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 416W（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 72A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 600V 72A（Tc） 416W（Tc） SP1
  
  型号：APTC60DAM35T1G
  仓库库存编号：APTC60DAM35T1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 416W（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 72A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 600V 72A（Tc） 416W（Tc） SP1
  
  型号：APTC60SKM35T1G
  仓库库存编号：APTC60SKM35T1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 416W（Tc）,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 900V 11A TO3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 11A（Tc） 416W（Tc） TO-3PN
  
  型号：GP2M011A090NG
  仓库库存编号：1560-1209-5-ND
  别名：1560-1209-1
  1560-1209-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 416W（Tc）,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 800V 12A TO3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 12A（Tc） 416W（Tc） TO-3PN
  
  型号：GP2M012A080NG
  仓库库存编号：1560-1211-5-ND
  别名：1560-1211-1
  1560-1211-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 416W（Tc）,
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