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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 20A 5DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 156W（Tc） 5-DFN（8x8）
  
  型号：TK20V60W5,LVQ
  仓库库存编号：TK20V60W5LVQCT-ND
  别名：TK20V60W5LVQCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 156W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13.8A（Ta），100A（Tc） 156W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC082N10LSGATMA1
  仓库库存编号：BSC082N10LSGATMA1CT-ND
  别名：BSC082N10LS GCT
  BSC082N10LS GCT-ND
  BSC082N10LSGATMA1CT-NDTR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 156W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta），100A（Tc） 156W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC046N10NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC046N10NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC046N10NS3GATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 156W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 28A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 156W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FQP32N20C
  仓库库存编号：FQP32N20CFS-ND
  别名：FQP32N20C-ND
  FQP32N20CFS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 156W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 900V 11A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 156W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW90R500C3
  仓库库存编号：IPW90R500C3-ND
  别名：IPW90R500C3FKSA1
  SP000413756
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 156W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 156W（Tc） 8-PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH7084TRPBF
  仓库库存编号：IRFH7084TRPBFCT-ND
  别名：IRFH7084TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 156W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 10A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 156W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW10NK60Z
  仓库库存编号：497-3253-5-ND
  别名：497-3253-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 156W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 15A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 156W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP15N60C3XKSA1
  仓库库存编号：SPP15N60C3XKSA1-ND
  别名：SP000681050
  SPP15N60C3
  SPP15N60C3-ND
  SPP15N60C3IN
  SPP15N60C3IN-ND
  SPP15N60C3X
  SPP15N60C3XK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 156W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 15A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 156W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：SPW15N60C3
  仓库库存编号：SPW15N60C3IN-ND
  别名：SP000014530
  SPW15N60C3-ND
  SPW15N60C3FKSA1
  SPW15N60C3IN
  SPW15N60C3X
  SPW15N60C3XK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 156W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 15A PWRPAK 8X8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 156W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SIHH14N65E-T1-GE3
  仓库库存编号：SIHH14N65E-T1-GE3CT-ND
  别名：SIHH14N65E-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 156W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 20.3A PWRPAK8X8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20.3A（Tc） 156W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SIHH21N65E-T1-GE3
  仓库库存编号：SIHH21N65E-T1-GE3CT-ND
  别名：SIHH21N65E-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 156W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 900V 11A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 156W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP90R500C3XKSA1
  仓库库存编号：IPP90R500C3XKSA1-ND
  别名：IPP90R500C3
  IPP90R500C3-ND
  SP000413746
  SP000683100
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 156W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N CH 600V 15A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 156W（Tc） TO-220
  
  型号：FCP260N60E
  仓库库存编号：FCP260N60E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 156W（Tc）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 20A 5DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 156W（Tc） 5-DFN（8x8）
  
  型号：TK20V60W,LVQ
  仓库库存编号：TK20V60WLVQCT-ND
  别名：TK20V60WLVQCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 156W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 19.8A POWERPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19.8A（Tc） 156W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SIHH21N65EF-T1-GE3
  仓库库存编号：SIHH21N65EF-T1-GE3CT-ND
  别名：SIHH21N65EF-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 156W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.4A（Ta），90A（Tc） 156W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC100N10NSFGATMA1
  仓库库存编号：BSC100N10NSFGATMA1CT-ND
  别名：BSC100N10NSF GCT
  BSC100N10NSF GCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 156W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13.4A（Ta），100A（Tc） 156W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC079N10NSGATMA1
  仓库库存编号：BSC079N10NSGATMA1CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 156W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.4A（Ta），90A（Tc） 156W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC105N10LSFGATMA1
  仓库库存编号：BSC105N10LSFGATMA1CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 156W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 8.7A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 8.7A（Tc） 156W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF840BPBF
  仓库库存编号：IRF840BPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 156W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 11A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 156W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP11N80C3XKSA1
  仓库库存编号：SPP11N80C3XKSA1-ND
  别名：SP000683158
  SPP11N80C3
  SPP11N80C3IN
  SPP11N80C3IN-ND
  SPP11N80C3X
  SPP11N80C3XK
  SPP11N80C3XTIN
  SPP11N80C3XTIN-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 156W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 156W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：SPW11N80C3
  仓库库存编号：SPW11N80C3IN-ND
  别名：SP000013703
  SPW11N80C3FKSA1
  SPW11N80C3IN
  SPW11N80C3X
  SPW11N80C3XK
  SPW11N80C3XTIN
  SPW11N80C3XTIN-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 156W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 8.7A（Tc） 156W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP8N50D-E3
  仓库库存编号：SIHP8N50D-E3-ND
  别名：SIHP8N50D-E3CT
  SIHP8N50D-E3CT-ND
  SIHP8N50DE3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 156W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 8.7A（Tc） 156W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP8N50D-GE3
  仓库库存编号：SIHP8N50D-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 156W（Tc）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 40V 300A 8VSON-CLIP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300A（Tc） 156W（Tc） 8-VSON-CLIP（5x6）
  
  型号：CSD18510Q5BT
  仓库库存编号：296-46567-1-ND
  别名：296-46567-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 156W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 700V 7.5A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 7.5A（Tc） 156W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW9NK70Z
  仓库库存编号：497-5899-5-ND
  别名：497-5899-5
  STW9NK70Z-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 156W（Tc）,
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