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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 306W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN5R6-100PS,127
  仓库库存编号：1727-4283-ND
  别名：1727-4283
  568-4972-5
  568-4972-5-ND
  934064274127
  PSMN5R6100PS127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 306W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 306W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN3R3-80BS,118
  仓库库存编号：1727-7108-1-ND
  别名：1727-7108-1
  568-9478-1
  568-9478-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 306W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 306W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN1R7-60BS,118
  仓库库存编号：1727-7106-1-ND
  别名：1727-7106-1
  568-9476-1
  568-9476-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 306W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 100A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 306W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP8440
  仓库库存编号：FDP8440-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 306W（Tc）,
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  无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 306W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN1R6-30BL,118
  仓库库存编号：1727-7111-1-ND
  别名：1727-7111-1
  568-9481-1
  568-9481-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 306W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 306W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK661R9-40C,118
  仓库库存编号：1727-5518-1-ND
  别名：1727-5518-1
  568-6997-1
  568-6997-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 306W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 306W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN5R6-100BS,118
  仓库库存编号：1727-7125-1-ND
  别名：1727-7125-1
  568-9495-1
  568-9495-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 306W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 306W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN4R4-80BS,118
  仓库库存编号：1727-7123-1-ND
  别名：1727-7123-1
  568-9493-1
  568-9493-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 306W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 306W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN3R0-60BS,118
  仓库库存编号：1727-7121-1-ND
  别名：1727-7121-1
  568-9491-1
  568-9491-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 306W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 306W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN2R8-80BS,118
  仓库库存编号：1727-7107-1-ND
  别名：1727-7107-1
  568-9477-1
  568-9477-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 306W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 306W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN2R2-40PS,127
  仓库库存编号：1727-4267-ND
  别名：1727-4267
  568-4898-5
  568-4898-5-ND
  934063915127
  PSMN2R240PS127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 306W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 306W（Tc） I2PAK
  
  型号：PSMN3R0-60ES,127
  仓库库存编号：1727-5437-ND
  别名：1727-5437
  568-6906-5
  568-6906-5-ND
  934064562127
  PSMN3R060ES127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 306W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 306W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN3R0-60PS,127
  仓库库存编号：1727-4285-ND
  别名：1727-4285
  568-4974-5
  568-4974-5-ND
  934064275127
  PSMN3R060PS127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 306W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 306W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN4R3-80PS,127
  仓库库存编号：1727-5285-ND
  别名：1727-5285
  568-6713
  568-6713-5
  568-6713-5-ND
  568-6713-ND
  934065171127
  PSMN4R380PS127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 306W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 306W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN1R6-30PL,127
  仓库库存编号：1727-4269-ND
  别名：1727-4269
  568-4900-5
  568-4900-5-ND
  934063916127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 306W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 306W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN4R4-80PS,127
  仓库库存编号：1727-4265-ND
  别名：1727-4265
  568-4896-5
  568-4896-5-ND
  934063914127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 306W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 306W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK661R6-30C,118
  仓库库存编号：1727-5516-1-ND
  别名：1727-5516-1
  568-6995-1
  568-6995-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 306W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 306W（Tc） I2PAK
  
  型号：BUK6E2R0-30C,127
  仓库库存编号：1727-5886-ND
  别名：1727-5886
  568-7503-5
  568-7503-5-ND
  934064471127
  BUK6E2R0-30C,127-ND
  BUK6E2R030C127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 306W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 306W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN1R1-40BS,118
  仓库库存编号：1727-7105-1-ND
  别名：1727-7105-1
  568-9475-1
  568-9475-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 306W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 100A TO-3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Ta），100A（Tc） 306W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FDA8440
  仓库库存编号：FDA8440-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 306W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 306W（Tc） I2PAK
  
  型号：PSMN4R3-80ES,127
  仓库库存编号：1727-5280-ND
  别名：1727-5280
  568-6708
  568-6708-5
  568-6708-5-ND
  568-6708-ND
  934065164127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 306W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 120A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 306W（Tc） I2PAK
  
  型号：BUK6E3R2-55C,127
  仓库库存编号：1727-5888-ND
  别名：1727-5888
  568-7505-5
  568-7505-5-ND
  934064473127
  BUK6E3R2-55C,127-ND
  BUK6E3R255C127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 306W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 306W（Tc） I2PAK
  
  型号：BUK6E2R3-40C,127
  仓库库存编号：1727-5887-ND
  别名：1727-5887
  568-7504-5
  568-7504-5-ND
  934064472127
  BUK6E2R3-40C,127-ND
  BUK6E2R340C127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 306W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 306W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK662R7-55C,118
  仓库库存编号：1727-5433-1-ND
  别名：1727-5433-1
  568-6900-1
  568-6900-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 306W（Tc）,
• 含铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 306W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN2R2-40BS,118
  仓库库存编号：1727-7118-1-ND
  别名：1727-7118-1
  568-9488-1
  568-9488-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 306W（Tc）,
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