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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 306W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMNR90-30BL,118
  仓库库存编号：1727-7110-1-ND
  别名：1727-7110-1
  568-9480-1
  568-9480-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 306W（Tc）,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 120A（Tc） 306W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK663R7-75C,118
  仓库库存编号：1727-5524-1-ND
  别名：1727-5524-1
  568-7003-1
  568-7003-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 306W（Tc）,
• 含铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 75V 120A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 120A（Tc） 306W（Tc） I2PAK
  
  型号：BUK6E4R0-75C,127
  仓库库存编号：1727-5890-ND
  别名：1727-5890
  568-7507-5
  568-7507-5-ND
  934064221127
  BUK6E4R0-75C,127-ND
  BUK6E4R075C127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 306W（Tc）,
• 含铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 120A（Tc） 306W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN3R8-100BS,118
  仓库库存编号：1727-7109-1-ND
  别名：1727-7109-1
  568-9479-1
  568-9479-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 306W（Tc）,
• 无铅
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 120A（Tc） 306W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK652R3-40C,127
  仓库库存编号：568-7492-5-ND
  别名：568-7492-5
  934064467127
  BUK652R3-40C,127-ND
  BUK652R340C127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 306W（Tc）,
• 含铅
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 120A（Tc） 306W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK652R0-30C,127
  仓库库存编号：568-7490-5-ND
  别名：568-7490-5
  934064466127
  BUK652R0-30C,127-ND
  BUK652R030C127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 306W（Tc）,
• 含铅
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 120A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 120A（Tc） 306W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK653R2-55C,127
  仓库库存编号：568-7495-5-ND
  别名：568-7495-5
  934064468127
  BUK653R2-55C,127-ND
  BUK653R255C127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 306W（Tc）,
• 含铅
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 120A（Tc） 306W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK654R0-75C,127
  仓库库存编号：568-7499-5-ND
  别名：568-7499-5
  934064237127
  BUK654R0-75C,127-ND
  BUK654R075C127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 306W（Tc）,
• 含铅
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