产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 375W(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 75V 120A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) TO-3PN
型号:
FDA032N08
仓库库存编号:
FDA032N08-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 375W(Tc),
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 80V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Ta) 375W(Tc) TO-220-3
型号:
CSD19506KCS
仓库库存编号:
296-37169-5-ND
别名:296-37169-5
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 375W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 240A(Tc) 375W(Tc) D2PAK(7-Lead)
型号:
AUIRFS8409-7P
仓库库存编号:
IRAUIRFS8409-7P-ND
别名:IRAUIRFS8409-7P
SP001522376
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 375W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 409A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 195A(Tc) 375W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS7430TRLPBF
仓库库存编号:
IRFS7430TRLPBFCT-ND
别名:IRFS7430TRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 375W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB017N08N5ATMA1
仓库库存编号:
IPB017N08N5ATMA1CT-ND
别名:IPB017N08N5ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 375W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 195A(Tc) 375W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB3006GPBF
仓库库存编号:
IRFB3006GPBF-ND
别名:SP001577692
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 375W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 195A(Tc) 375W(Tc) TO-220AB
型号:
AUIRFB8409
仓库库存编号:
IRAUIRFB8409-ND
别名:IRAUIRFB8409
SP001521544
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 375W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 195A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 195A(Tc) 375W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL3006PBF
仓库库存编号:
IRFSL3006PBF-ND
别名:SP001573396
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 375W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 170A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 170A(Tc) 375W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA170N06
仓库库存编号:
FQA170N06-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 375W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM50020EL-GE3
仓库库存编号:
SUM50020EL-GE3CT-ND
别名:SUM50020EL-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 375W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 131A D2PK TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 131A(Tc) 375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM70060E-GE3
仓库库存编号:
SUM70060E-GE3TR-ND
别名:SUM70060E-GE3TR
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 375W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 131A D2PK TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 131A(Tc) 375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM70060E-GE3
仓库库存编号:
SUM70060E-GE3CT-ND
别名:SUM70060E-GE3-ND
SUM70060E-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 375W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 63A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 63A(Tc) 375W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP10250E-GE3
仓库库存编号:
SUP10250E-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 375W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP40010EL-GE3
仓库库存编号:
SUP40010EL-GE3-ND
别名:SUP40010EL-GE3TR
SUP40010EL-GE3TR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 375W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP60030E-GE3
仓库库存编号:
SUP60030E-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 375W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 128A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 128A(Tc) 375W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP80090E-GE3
仓库库存编号:
SUP80090E-GE3-ND
别名:SUP80090E-GE3CT
SUP80090E-GE3CT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 375W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 90A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 90A(Tc) 375W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP90142E-GE3
仓库库存编号:
SUP90142E-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 375W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 90A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 90A(Tc) 375W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP90140E-GE3
仓库库存编号:
SUP90140E-GE3-ND
别名:SUP90140E-GE3CT
SUP90140E-GE3CT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 375W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 195A(Tc) 375W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
IRFS7530TRLPBF
仓库库存编号:
IRFS7530TRLPBFCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 375W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 120A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) TO-263
型号:
SQM120N04-1M7L_GE3
仓库库存编号:
SQM120N04-1M7L_GE3CT-ND
别名:SQM120N04-1M7L-GE3-ND
SQM120N04-1M7L-GE3CT-ND
SQM120N04-1M7L_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 375W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
SUM40010EL-GE3
仓库库存编号:
SUM40010EL-GE3CT-ND
别名:SUM40010EL-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 375W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 63.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 63.5A(Tc) 375W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
SUM10250E-GE3
仓库库存编号:
SUM10250E-GE3TR-ND
别名:SUM10250E-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 375W(Tc),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 63.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 63.5A(Tc) 375W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
SUM10250E-GE3
仓库库存编号:
SUM10250E-GE3CT-ND
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 120A TO-263
详细描述:表面贴装 P 沟道 120A(Tc) 375W(Tc)
型号:
SQM120P04-04L_GE3
仓库库存编号:
SQM120P04-04L_GE3CT-ND
别名:SQM120P04-04L_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 375W(Tc),
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MOSFET P-CH 60V 120A TO263
详细描述:表面贴装 P 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) TO-263(D2Pak)
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SQM120P06-07L_GE3
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SQM120P06-07L_GE3CT-ND
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