产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 375W(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(149)
晶体管 - FET,MOSFET - 单
(149)
筛选品牌
Infineon Technologies (65)
IXYS (7)
Fairchild/ON Semiconductor (17)
Texas Instruments (8)
Vishay Siliconix (52)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
IXYS
40V/270A TRENCH T POWER MOSFET,
详细描述:表面贴装 N 沟道 270A(Tc) 375W(Tc) TO-263-7
型号:
IXTA270N04T4-7
仓库库存编号:
IXTA270N04T4-7-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 375W(Tc),
无铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200A(Ta),349A(Tc) 375W(Tc) DDPAK/TO-263-3
型号:
CSD18536KTTT
仓库库存编号:
296-44122-1-ND
别名:296-44122-1
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 375W(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
SQM40010EL_GE3
仓库库存编号:
SQM40010EL_GE3CT-ND
别名:SQM40010EL_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 375W(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 95A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 95A(Tc) 375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM90142E_GE3
仓库库存编号:
SQM90142E_GE3CT-ND
别名:SQM90142E_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 375W(Tc),
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
SQM40031EL_GE3
仓库库存编号:
SQM40031EL_GE3CT-ND
别名:SQM40031EL_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 375W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 90A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 90A(Tc) 375W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA90N15_F109
仓库库存编号:
FQA90N15_F109-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 375W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 240A(Tc) 375W(Tc) D2PAK(7-Lead)
型号:
IRFS7430TRL7PP
仓库库存编号:
IRFS7430TRL7PPCT-ND
别名:IRFS7430TRL7PPCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 375W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
详细描述:表面贴装 N 沟道 300A(Tc) 375W(Tc) PG-HSOF-8-1
型号:
IPT020N10N3ATMA1
仓库库存编号:
IPT020N10N3ATMA1CT-ND
别名:IPT020N10N3ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 375W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
详细描述:表面贴装 N 沟道 300A(Tc) 375W(Tc) PG-HSOF-8-1
型号:
IPT015N10N5ATMA1
仓库库存编号:
IPT015N10N5ATMA1CT-ND
别名:IPT015N10N5ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 375W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N CH 60V 240A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 240A(Tc) 375W(Tc) D2PAK(7-Lead)
型号:
IRFS7530TRL7PP
仓库库存编号:
IRFS7530TRL7PPCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 375W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP023N10N5AKSA1
仓库库存编号:
IPP023N10N5AKSA1-ND
别名:SP001120504
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 375W(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) TO-220AB
型号:
SUM50020E-GE3
仓库库存编号:
SUM50020E-GE3CT-ND
别名:SUM50020E-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 375W(Tc),
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP50020E-GE3
仓库库存编号:
SUP50020E-GE3CT-ND
别名:SUP50020E-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 375W(Tc),
搜索
Vishay Siliconix
P-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
详细描述:通孔 P 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP70101EL-GE3
仓库库存编号:
SUP70101EL-GE3CT-ND
别名:SUP70101EL-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 375W(Tc),
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM70040E-GE3
仓库库存编号:
SUM70040E-GE3CT-ND
别名:SUM70040E-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 375W(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 90A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 375W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
SUM90140E-GE3
仓库库存编号:
SUM90140E-GE3CT-ND
别名:SUM90140E-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 375W(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
P-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
详细描述:表面贴装 P 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM70101EL-GE3
仓库库存编号:
SUM70101EL-GE3CT-ND
别名:SUM70101EL-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 375W(Tc),
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP70040E-GE3
仓库库存编号:
SUP70040E-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 375W(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM120N02-1M3L_GE3
仓库库存编号:
SQM120N02-1M3L_GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 375W(Tc),
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 200A(Tc) 375W(Tc) TO-263-7
型号:
SQM200N04-1M8_GE3
仓库库存编号:
SQM200N04-1M8_GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 375W(Tc),
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 200A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 200A(Tc) 375W(Tc) TO-263-7
型号:
SQM200N04-1M7L_GE3
仓库库存编号:
SQM200N04-1M7L_GE3-ND
别名:SQM200N04-1M7L-GE3
SQM200N04-1M7L-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 375W(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) TO-220AB
型号:
SQP120N10-09_GE3
仓库库存编号:
SQP120N10-09_GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 375W(Tc),
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 100A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM100N10-10_GE3
仓库库存编号:
SQM100N10-10_GE3-ND
别名:SQM100N10-10-GE3
SQM100N10-10-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 375W(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
P-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
详细描述:表面贴装 P 沟道 93A(Tc) 375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM100P10-19L_GE3
仓库库存编号:
SQM100P10-19L_GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 375W(Tc),
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM120N10-09_GE3
仓库库存编号:
SQM120N10-09_GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 375W(Tc),
搜索
1
2
3
4
5
6
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号