产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 375W(Tc),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 85A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 85A(Tc) 375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM85N15-19_GE3
仓库库存编号:
SQM85N15-19_GE3-ND
别名:SQM85N15-19-GE3
SQM85N15-19-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 375W(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM50020EL_GE3
仓库库存编号:
SQM50020EL_GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 375W(Tc),
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFE
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM60N20-35_GE3
仓库库存编号:
SQM60N20-35_GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 375W(Tc),
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 120A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) TO-220AB
型号:
FDP047N10
仓库库存编号:
FDP047N10-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 375W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 120A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) TO-263
型号:
SQM120N03-1M5L_GE3
仓库库存编号:
SQM120N03-1M5L_GE3-ND
别名:SQM120N03-1M5L-GE3
SQM120N03-1M5L-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 375W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
详细描述:表面贴装 P 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM120P10_10M1LGE3
仓库库存编号:
SQM120P10_10M1LGE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 375W(Tc),
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 300-V (D-S) 175C MOSFE
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM35N30-97_GE3
仓库库存编号:
SQM35N30-97_GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 375W(Tc),
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Fairchild/ON Semiconductor
PT3 MV 75V 3.2MOHM FOR DELTA
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) TO-220
型号:
FDP032N08_F102
仓库库存编号:
FDP032N08_F102-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 375W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 200A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 200A(Tc) 375W(Tc) TO-263-7
型号:
SQM200N04-1M1L_GE3
仓库库存编号:
SQM200N04-1M1L_GE3-ND
别名:SQM200N04-1M1L-GE3
SQM200N04-1M1L-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 375W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 40V 270A
详细描述:通孔 N 沟道 270A(Tc) 375W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP270N04T4
仓库库存编号:
IXTP270N04T4-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 375W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 40V 270A
详细描述:表面贴装 N 沟道 270A(Tc) 375W(Tc) TO-263AA
型号:
IXTA270N04T4
仓库库存编号:
IXTA270N04T4-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 375W(Tc),
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 100V 200A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 200A(Ta) 375W(Tc) DDPAK/TO-263-3
型号:
CSD19536KTT
仓库库存编号:
CSD19536KTT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 375W(Tc),
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 200A(Ta) 375W(Tc) DDPAK/TO-263-3
型号:
CSD19506KTT
仓库库存编号:
CSD19506KTT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 375W(Tc),
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 60V 200A TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 200A(Ta) 375W(Tc) TO-220-3
型号:
CSD18536KCS
仓库库存编号:
CSD18536KCS-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 375W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 375W(Tc) PG-TO263-7
型号:
IPB015N08N5ATMA1
仓库库存编号:
IPB015N08N5ATMA1CT-ND
别名:IPB015N08N5ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 375W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 40V 270A
详细描述:通孔 N 沟道 270A(Tc) 375W(Tc) TO-247
型号:
IXTH270N04T4
仓库库存编号:
IXTH270N04T4-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 375W(Tc),
无铅
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Texas Instruments
IC MOSFET N-CH 80V TO-220
详细描述:表面贴装 N 沟道 200A(Ta) 375W(Tc) DDPAK/TO-263-3
型号:
CSD19506KTTT
仓库库存编号:
CSD19506KTTT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 375W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 90A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 90A(Tc) 375W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA90N15
仓库库存编号:
FQA90N15FS-ND
别名:FQA90N15-ND
FQA90N15FS
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 375W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 28A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 28A(Tc) 375W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH28N50Q
仓库库存编号:
IXFH28N50Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 375W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 28A TO-268(D3)
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 28A(Tc) 375W(Tc) TO-268
型号:
IXFT28N50Q
仓库库存编号:
IXFT28N50Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 375W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 195A(Tc) 375W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL7530PBF
仓库库存编号:
IRFSL7530PBF-ND
别名:SP001565198
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 375W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 195A TO262
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 195A(Tc) 375W(Tc) D2PAK
型号:
IRFSL7430PBF
仓库库存编号:
IRFSL7430PBF-ND
别名:SP001557608
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 375W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 40V 523A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 523A(Tc) 375W(Tc) D2PAK(7-Lead)
型号:
AUIRFSA8409-7TRL
仓库库存编号:
AUIRFSA8409-7TRL-ND
别名:SP001518820
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 375W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 195A(Tc) 375W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRFS8409TRL
仓库库存编号:
IFAUIRFS8409TRL-ND
别名:IFAUIRFS8409TRL
SP001521148
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 375W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 195A TO-262
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 195A(Tc) 375W(Tc) TO-262
型号:
AUIRFSL8409
仓库库存编号:
AUIRFSL8409-ND
别名:SP001516096
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 375W(Tc),
无铅
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