产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 429W(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V TO-247-3
详细描述:通孔 N 沟道 158A(Tc) 429W(Tc) TO-247
型号:
FDH055N15A
仓库库存编号:
FDH055N15A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 429W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 300A 8HSOF
详细描述:表面贴装 N 沟道 300A(Tc) 429W(Tc) H-PSOF-8-1
型号:
IPLU300N04S4R8XTMA1
仓库库存编号:
IPLU300N04S4R8XTMA1CT-ND
别名:IPLU300N04S4R8XTMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 429W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
PTNG 100V N-CHANNEL POWER TRENCH
详细描述:表面贴装 N 沟道 300A(Tc) 429W(Tc) 8-HPSOF
型号:
FDBL86062_F085
仓库库存编号:
FDBL86062_F085-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 429W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
PTNG 100V N-CHANNEL POWER TRENCH
详细描述:表面贴装 N 沟道 300A(Tc) 429W(Tc) 8-HPSOF
型号:
FDBL0200N100
仓库库存编号:
FDBL0200N100-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 429W(Tc),
无铅
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