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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 33W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD5N20LT4
  仓库库存编号：497-4335-1-ND
  别名：497-4335-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 33W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 14.5A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 14.5A（Tc） 33W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHA15N50E-E3
  仓库库存编号：SIHA15N50E-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 33W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 35A（Tc） 33W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7615CDN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7615CDN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7615CDN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 33W（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 39A（Tc） 33W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM120NA03CR RLG
  仓库库存编号：TSM120NA03CR RLGTR-ND
  别名：TSM120NA03CR RLGTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 33W（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 39A（Tc） 33W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM120NA03CR RLG
  仓库库存编号：TSM120NA03CR RLGCT-ND
  别名：TSM120NA03CR RLGCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 33W（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 39A（Tc） 33W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM120NA03CR RLG
  仓库库存编号：TSM120NA03CR RLGDKR-ND
  别名：TSM120NA03CR RLGDKR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 33W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 10A TO-220 FPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 33W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHF10N40D-E3
  仓库库存编号：SIHF10N40D-E3-ND
  别名：SIHF10N40DE3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 33W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 20A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 33W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHA22N60AE-E3
  仓库库存编号：SIHA22N60AE-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 33W（Tc）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 23A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Tc） 33W（Tc） DPAK
  
  型号：NVD5807NT4G-VF01
  仓库库存编号：NVD5807NT4G-VF01CT-ND
  别名：NVD5807NT4G-VF01CT
  NVD5807NT4GOSCT
  NVD5807NT4GOSCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 33W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET P-CH 30V 12A
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） 33W（Tc） DPAK
  
  型号：STD28P3LLH6AG
  仓库库存编号：497-16301-1-ND
  别名：497-16301-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 33W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 8A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 33W（Tc）
  
  型号：SQS462EN-T1_GE3
  仓库库存编号：SQS462EN-T1_GE3CT-ND
  别名：SQS462EN-T1_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 33W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 6.5A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 6.5A（Tc） 33W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF7N60NZ
  仓库库存编号：FDPF7N60NZ-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 33W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 33W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：SPA11N65C3XKSA1
  仓库库存编号：SPA11N65C3XKSA1-ND
  别名：SP000216318
  SPA11N65C3
  SPA11N65C3IN
  SPA11N65C3IN-ND
  SPA11N65C3XK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 33W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 60V 12A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 33W（Tc） TO-251
  
  型号：IXTU12N06T
  仓库库存编号：IXTU12N06T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 33W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V TO-220-3
  详细描述：N 沟道 8A（Ta） 33W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：IPA80R650CEXKSA2
  仓库库存编号：IPA80R650CEXKSA2-ND
  别名：SP001313394
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 33W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 12A TO220 FULLP
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 33W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHF12N60E-E3
  仓库库存编号：SIHF12N60E-E3-ND
  别名：SIHF12N60EE3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 33W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220 FLPK
  详细描述：通孔 N 沟道 8.7A（Tc） 33W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHF8N50D-E3
  仓库库存编号：SIHF8N50D-E3-ND
  别名：SIHF8N50D-E3CT
  SIHF8N50D-E3CT-ND
  SIHF8N50DE3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 33W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 60 V, 0.0031 OHM TYP.,
  详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 33W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF140N6F7
  仓库库存编号：497-16970-ND
  别名：497-16970
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 33W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 33W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：IPA50R250CP
  仓库库存编号：IPA50R250CP-ND
  别名：IPA50R250CPXKSA1
  SP000236080
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 33W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 33W（Tc） PG-TO220-3-31 整包
  
  型号：SPA11N60C3XKSA1
  仓库库存编号：SPA11N60C3XKSA1-ND
  别名：SP000216312
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 33W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 31.8A LFPAK33
  详细描述：表面贴装 N 沟道 31.8A（Tc） 33W（Tc） LFPAK33
  
  型号：PSMN020-30MLCX
  仓库库存编号：1727-7276-1-ND
  别名：1727-7276-1
  568-9906-1
  568-9906-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 33W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 33W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF5N60C
  仓库库存编号：FQPF5N60CFS-ND
  别名：FQPF5N60C-ND
  FQPF5N60CFS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 33W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 27.4A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 27.4A（Tc） 33W（Tc） TO-220F-3
  
  型号：FDPF190N15A
  仓库库存编号：FDPF190N15A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 33W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO220FP-3
  详细描述：通孔 N 沟道 16.8A（Tc） 33W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R230P6XKSA1
  仓库库存编号：IPA60R230P6XKSA1-ND
  别名：SP001017078
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 33W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 33W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF5N60NZ
  仓库库存编号：FDPF5N60NZ-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 33W（Tc）,
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