产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 60W(Tc),
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分立半导体产品
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 20A(Tc) 60W(Tc) TO-252AA
型号:
HUFA76413D3S
仓库库存编号:
HUFA76413D3S-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 60W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 20A(Tc) 60W(Tc) TO-251AA
型号:
HUFA76413D3
仓库库存编号:
HUFA76413D3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 60W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 20A(Tc) 60W(Tc) TO-252AA
型号:
HUFA76413D3ST
仓库库存编号:
HUFA76413D3ST-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 60W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 23A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 23A(Tc) 60W(Tc) TO-220AB
型号:
HUFA76413P3
仓库库存编号:
HUFA76413P3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 60W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 15A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 50V 15A(Tc) 60W(Tc) TO-220AB
型号:
RFP15N05L
仓库库存编号:
RFP15N05L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 60W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 16.7A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 150V 16.7A(Tc) 60W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF28N15
仓库库存编号:
FQPF28N15-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 60W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 16.7A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 150V 16.7A(Tc) 60W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF28N15T
仓库库存编号:
FQPF28N15T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 60W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 34.2A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 100V 34.2A(Tc) 60W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF55N10
仓库库存编号:
FQPF55N10-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 60W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 1000V 1.5A(Tc) 60W(Tc) TO-268
型号:
IXTT1N100
仓库库存编号:
IXTT1N100-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 60W(Tc),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 100A ATPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Ta) 60W(Tc) ATPAK
型号:
ATP204-TL-H
仓库库存编号:
869-1080-1-ND
别名:869-1080-1
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 60W(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 28.43A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 28.43A(Tc) 60W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK7Y35-55B,115
仓库库存编号:
568-5520-1-ND
别名:568-5520-1
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 60W(Tc),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 75A ATPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 75A(Ta) 60W(Tc) ATPAK
型号:
ATP214-TL-H
仓库库存编号:
ATP214-TL-H-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 60W(Tc),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 100A ATPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Ta) 60W(Tc) ATPAK
型号:
ATP218-TL-H
仓库库存编号:
ATP218-TL-H-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 60W(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 100V 23A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 23A(Ta) 60W(Tc) LFPAK
型号:
RJK1055DPB-00#J5
仓库库存编号:
RJK1055DPB-00#J5CT-ND
别名:RJK1055DPB-00#J5CT
RJK1055DPB00J5
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 60W(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 900V 8A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 900V 8A(Ta) 60W(Tc) TO-3P
型号:
2SK1775-E
仓库库存编号:
2SK1775-E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 60W(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 900V 6A(Ta) 60W(Tc) TO-3P
型号:
2SK1859-E
仓库库存编号:
2SK1859-E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 60W(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 200V 40A TO3PFM
详细描述:通孔 N 沟道 200V 40A(Ta) 60W(Tc) TO-3PFM
型号:
RJK2009DPM-00#T0
仓库库存编号:
RJK2009DPM-00#T0-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 60W(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 21A TO3PFM
详细描述:通孔 N 沟道 600V 21A(Ta) 60W(Tc) TO-3PFM
型号:
RJK6015DPM-00#T1
仓库库存编号:
RJK6015DPM-00#T1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 60W(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 30A TO3PFM
详细描述:通孔 N 沟道 600V 30A(Ta) 60W(Tc) TO-3PFM
型号:
RJK6018DPM-00#T1
仓库库存编号:
RJK6018DPM-00#T1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 60W(Tc),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 75A ATPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 75A(Ta) 60W(Tc) ATPAK
型号:
ATP104-TL-HX
仓库库存编号:
ATP104-TL-HX-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 60W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 60W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD30N03S2L-20
仓库库存编号:
SPD30N03S2L20INTR-ND
别名:SP000013488
SPD30N03S2L20INTR
SPD30N03S2L20XT
SPD30N03S2L20XT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 60W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 18A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 18A(Tc) 60W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB4212PBF
仓库库存编号:
IRFB4212PBF-ND
别名:SP001555992
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 60W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 60W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD20N03L
仓库库存编号:
IPD20N03L-ND
别名:IPD20N03LT
SP000016259
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 60W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 30A(Tc) 60W(Tc) P-TO251-3
型号:
IPU20N03L G
仓库库存编号:
IPU20N03L G-ND
别名:IPU20N03LGX
IPU20N03LGXK
SP000018246
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 60W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 600V 6.1A(Tc) 60W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI60R600CPAKSA1
仓库库存编号:
IPI60R600CPAKSA1-ND
别名:IPI60R600CP
IPI60R600CP-ND
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产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 60W(Tc),
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