产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 80W（Tc）,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 50V 15A TO-220AB
详细描述：通孔 P 沟道 50V 15A（Tc） 80W（Tc） TO-220AB
型号：
RFP15P05
仓库库存编号：
RFP15P05-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 80W（Tc）,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 28V 85A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 28V 85A（Tc） 80W（Tc） D2PAK
型号：
NTB85N03T4
仓库库存编号：
NTB85N03T4OSCT-ND
别名：NTB85N03T4OSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 80W（Tc）,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 28V 85A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 28V 85A（Tc） 80W（Tc） TO-220AB
型号：
NTP85N03
仓库库存编号：
NTP85N03OS-ND
别名：NTP85N03OS
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 80W（Tc）,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 74A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 74A（Tc） 80W（Tc） D2PAK
型号：
NTB4302T4
仓库库存编号：
NTB4302T4OS-ND
别名：NTB4302T4OS
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 80W（Tc）,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 74A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 30V 74A（Tc） 80W（Tc） TO-220AB
型号：
NTP4302
仓库库存编号：
NTP4302OS-ND
别名：NTP4302OS
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 80W（Tc）,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 28V 85A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 28V 85A（Tc） 80W（Tc） D2PAK
型号：
NTB85N03T4G
仓库库存编号：
NTB85N03T4GOS-ND
别名：NTB85N03T4GOS
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 80W（Tc）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 74A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 74A（Tc） 80W（Tc） D2PAK
型号：
NTB4302T4G
仓库库存编号：
NTB4302T4GOS-ND
别名：NTB4302T4GOS
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 80W（Tc）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 74A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 30V 74A（Tc） 80W（Tc） TO-220AB
型号：
NTP4302G
仓库库存编号：
NTP4302GOS-ND
别名：NTP4302GOS
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 80W（Tc）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 28V 85A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 28V 85A（Tc） 80W（Tc） TO-220AB
型号：
NTP85N03RG
仓库库存编号：
NTP85N03RGOS-ND
别名：NTP85N03RGOS
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 80W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 94A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 17A（Ta），94A（Tc） 80W（Tc） TO-251
型号：
FDU8896
仓库库存编号：
FDU8896-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 80W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 17A（Ta），35A（Tc） 80W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
FDU068AN03L
仓库库存编号：
FDU068AN03L-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 80W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 35A D-PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 17A（Ta），35A（Tc） 80W（Tc） TO-252AA
型号：
FDD068AN03L
仓库库存编号：
FDD068AN03L-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 80W（Tc）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 74A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 74A（Tc） 80W（Tc） D2PAK
型号：
NTB4302
仓库库存编号：
NTB4302-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 80W（Tc）,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 74A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 74A（Tc） 80W（Tc） D2PAK
型号：
NTB4302G
仓库库存编号：
NTB4302G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 80W（Tc）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 28V 85A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 28V 85A（Tc） 80W（Tc） D2PAK
型号：
NTB85N03G
仓库库存编号：
NTB85N03G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 80W（Tc）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 28V 85A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 28V 85A（Tc） 80W（Tc） TO-220AB
型号：
NTP85N03G
仓库库存编号：
NTP85N03G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 80W（Tc）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 500V 14A TO-3PN
详细描述：通孔 N 沟道 500V 14A（Ta） 80W（Tc） TO-3P（N）IS
型号：
2SK2916(F)
仓库库存编号：
2SK2916(F)-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 80W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 4A（Tc） 80W（Tc） D-Pak
型号：
FQD6N60CTM
仓库库存编号：
FQD6N60CTM-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 80W（Tc）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 6A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 600V 6A（Ta） 80W（Tc） TO-220AB
型号：
2SK2544(F)
仓库库存编号：
2SK2544(F)-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 80W（Tc）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 1500V 2A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 1500V 2A（Ta） 80W（Tc） SMP-FD
型号：
2SK4177-DL-E
仓库库存编号：
2SK4177-DL-E-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 80W（Tc）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 500V 4A DPAK-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 4A（Ta） 80W（Tc） D-Pak
型号：
TK4P50D(T6RSS-Q)
仓库库存编号：
TK4P50D(T6RSS-Q)-ND
别名：TK4P50DT6RSSQ
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 80W（Tc）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 550V 3.5A DPAK-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 550V 3.5A（Ta） 80W（Tc） D-Pak
型号：
TK4P55DA(T6RSS-Q)
仓库库存编号：
TK4P55DA(T6RSS-Q)-ND
别名：TK4P55DAT6RSSQ
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 80W（Tc）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 550V 4A DPAK-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 550V 4A（Ta） 80W（Tc） D-Pak
型号：
TK4P55D(T6RSS-Q)
仓库库存编号：
TK4P55D(T6RSS-Q)-ND
别名：TK4P55DT6RSSQ
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 80W（Tc）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 3.5A DPAK-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3.5A（Ta） 80W（Tc） D-Pak
型号：
TK4P60DA(T6RSS-Q)
仓库库存编号：
TK4P60DA(T6RSS-Q)-ND
别名：TK4P60DAT6RSSQ
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 80W（Tc）,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 3.7A DPAK-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3.7A（Ta） 80W（Tc） D-Pak
型号：
TK4P60DB(T6RSS-Q)
仓库库存编号：
TK4P60DB(T6RSS-Q)-ND
别名：TK4P60DBT6RSSQ
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 80W（Tc）,
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