产品分类:分立半导体产品,品牌:Renesas Electronics America,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(20)
晶体管 - FET,MOSFET - 单
(20)
筛选品牌
Renesas Electronics America (20)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 10A LDPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta) 100W(Tc) 4-LDPAK
型号:
RJK6012DPE-00#J3
仓库库存编号:
RJK6012DPE-00#J3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Renesas Electronics America,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 2.5A(Ta) 100W(Tc) TO-3P
型号:
2SK1317-E
仓库库存编号:
2SK1317-E-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Renesas Electronics America,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 160V 7A TO-3P
详细描述:通孔 P 沟道 160V 7A(Ta) 100W(Tc) TO-3P
型号:
2SJ162-E
仓库库存编号:
2SJ162-E-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Renesas Electronics America,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 160V 7A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 160V 7A(Ta) 100W(Tc) TO-3P
型号:
2SK1058-E
仓库库存编号:
2SK1058-E-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Renesas Electronics America,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 200V 8A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 200V 8A(Ta) 100W(Tc) TO-3P
型号:
2SK2221-E
仓库库存编号:
2SK2221-E-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Renesas Electronics America,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 900V 5A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 900V 5A(Ta) 100W(Tc) TO-3P
型号:
2SK1340-E
仓库库存编号:
2SK1340-E-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Renesas Electronics America,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 900V 6A(Ta) 100W(Tc) TO-3P
型号:
2SK1341-E
仓库库存编号:
2SK1341-E-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Renesas Electronics America,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 900V 8A(Ta) 100W(Tc) TO-3P
型号:
2SK1342-E
仓库库存编号:
2SK1342-E-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Renesas Electronics America,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 200V 40A LDPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 40A(Ta) 100W(Tc) 4-LDPAK
型号:
RJK2006DPE-00#J3
仓库库存编号:
RJK2006DPE-00#J3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Renesas Electronics America,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 400V 17A LDPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 17A(Ta) 100W(Tc) 4-LDPAK
型号:
RJK4013DPE-00#J3
仓库库存编号:
RJK4013DPE-00#J3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Renesas Electronics America,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 450V 14A LDPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 450V 14A(Ta) 100W(Tc) 4-LDPAK
型号:
RJK4512DPE-00#J3
仓库库存编号:
RJK4512DPE-00#J3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Renesas Electronics America,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 12A LDPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 12A(Ta) 100W(Tc) 4-LDPAK
型号:
RJK5012DPE-00#J3
仓库库存编号:
RJK5012DPE-00#J3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Renesas Electronics America,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 14A LDPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 14A(Ta) 100W(Tc) 4-LDPAK
型号:
RJK5013DPE-00#J3
仓库库存编号:
RJK5013DPE-00#J3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Renesas Electronics America,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 11A LDPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 11A(Ta) 100W(Tc) 4-LDPAK
型号:
RJK6013DPE-00#J3
仓库库存编号:
RJK6013DPE-00#J3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Renesas Electronics America,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 12A LDPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 12A(Ta) 100W(Tc) 4-LDPAK
型号:
RJL5012DPE-00#J3
仓库库存编号:
RJL5012DPE-00#J3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Renesas Electronics America,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 10A LDPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 10A(Ta) 100W(Tc) 4-LDPAK
型号:
RJL6012DPE-00#J3
仓库库存编号:
RJL6012DPE-00#J3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Renesas Electronics America,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 11A LDPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 11A(Ta) 100W(Tc) 4-LDPAK
型号:
RJL6013DPE-00#J3
仓库库存编号:
RJL6013DPE-00#J3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Renesas Electronics America,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 100V LDPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 75A(Ta) 100W(Tc) 4-LDPAK
型号:
H7N1002LS-E
仓库库存编号:
H7N1002LS-E-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Renesas Electronics America,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 100V LDPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 75A(Ta) 100W(Tc) 4-LDPAK
型号:
H7N1002LSTL-E
仓库库存编号:
H7N1002LSTL-E-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Renesas Electronics America,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 60V 85A LDPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 85A(Ta) 100W(Tc) 4-LDPAK
型号:
RJK0629DPE-00#J3
仓库库存编号:
RJK0629DPE-00#J3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Renesas Electronics America,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号