产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(168)
晶体管 - FET，MOSFET - 单
(168)
筛选品牌
Infineon Technologies (29)
IXYS (7)
Fairchild/ON Semiconductor (4)
STMicroelectronics (96)
Toshiba Semiconductor and Storage (1)
Vishay Siliconix (31)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
型号：
STB18NM80
仓库库存编号：
497-10117-1-ND
别名：497-10117-1
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 17A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 190W（Tc） TO-220AB
型号：
STP20NK50Z
仓库库存编号：
497-7515-5-ND
别名：497-7515-5
STP20NK50Z-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N CH 500V 22A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 190W（Tc） TO-247
型号：
STW32NM50N
仓库库存编号：
497-13284-5-ND
别名：497-13284-5
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 29A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 190W（Tc） TO-247
型号：
STW34NM60ND
仓库库存编号：
497-11366-5-ND
别名：497-11366-5
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 33A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
型号：
STW42N65M5
仓库库存编号：
497-8796-5-ND
别名：497-8796-5
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 24A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 190W（Tc） I2PAK
型号：
STI33N65M2
仓库库存编号：
497-15551-5-ND
别名：497-15551-5
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N CH 800V 14A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 190W（Tc） TO-220
型号：
STP15N80K5
仓库库存编号：
497-13441-ND
别名：497-13441
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 190W（Tc） I2PAK（TO-262）
型号：
STI175N4F6AG
仓库库存编号：
STI175N4F6AG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 120A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 190W（Tc） TO-220
型号：
STP180N4F6
仓库库存编号：
STP180N4F6-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 190W（Tc） H2Pak-2
型号：
STH180N4F6-2
仓库库存编号：
STH180N4F6-2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 10.5A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 10.5A（Tc） 190W（Tc） TO-220AB
型号：
STP12NK80Z
仓库库存编号：
497-6737-5-ND
别名：497-6737-5
STP12NK80Z-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 28A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
型号：
STB34N65M5
仓库库存编号：
497-13085-1-ND
别名：497-13085-1
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 26A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 190W（Tc） TO-220
型号：
STP33N60M2
仓库库存编号：
497-14221-5-ND
别名：497-14221-5
STP33N60M2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 26A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 190W（Tc） TO-247
型号：
STW33N60M2
仓库库存编号：
497-14293-5-ND
别名：497-14293-5
STW33N60M2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 10A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
型号：
STW13N95K3
仓库库存编号：
497-10772-5-ND
别名：497-10772-5
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 13A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 190W（Tc） TO-220AB
型号：
STP16NK65Z
仓库库存编号：
497-4119-5-ND
别名：497-4119-5
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 30A TO247-4
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 190W（Tc）
型号：
STW38N65M5-4
仓库库存编号：
STW38N65M5-4-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 29A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 190W（Tc） TO-247
型号：
STW36NM60ND
仓库库存编号：
497-13888-5-ND
别名：497-13888-5
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 33A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 190W（Tc） I2PAK
型号：
STI42N65M5
仓库库存编号：
497-8899-5-ND
别名：497-8899-5
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 190W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFZ48RPBF
仓库库存编号：
IRFZ48RPBF-ND
别名：*IRFZ48RPBF
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 190W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
IRFZ48RSPBF
仓库库存编号：
IRFZ48RSPBF-ND
别名：*IRFZ48RSPBF
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 70A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP048RPBF
仓库库存编号：
IRFP048RPBF-ND
别名：*IRFP048RPBF
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 11A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFPC50LCPBF
仓库库存编号：
IRFPC50LCPBF-ND
别名：*IRFPC50LCPBF
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET P-CH 500V 13A ISOPLUS247
详细描述：通孔 P 沟道 500V 13A（Tc） 190W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXTR20P50P
仓库库存编号：
IXTR20P50P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET P-CH 100V 57A ISOPLUS247
详细描述：通孔 P 沟道 100V 57A（Tc） 190W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXTR90P10P
仓库库存编号：
IXTR90P10P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
搜索
1
2
3
4
5
6
7
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
