产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 27A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 500V 27A（Tc） 190W（Tc） TO-220-3
型号：
STP30NM50N
仓库库存编号：
497-8790-5-ND
别名：497-8790-5
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 27A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 27A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
型号：
STB30NM50N
仓库库存编号：
497-8768-1-ND
别名：497-8768-1
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 600V 25A（Tc） 190W（Tc） I2PAK
型号：
STI30NM60N
仓库库存编号：
STI30NM60N-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 61A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 200V 61A（Tc） 190W（Tc） TO-220AB
型号：
STP80N20M5
仓库库存编号：
497-10715-5-ND
别名：497-10715-5
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 620V 15A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 620V 15.5A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
型号：
STW17N62K3
仓库库存编号：
497-10717-5-ND
别名：497-10717-5
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 30A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 650V 30A（Tc） 190W（Tc） TO-247
型号：
STW38N65M5
仓库库存编号：
497-13124-5-ND
别名：497-13124-5
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 16A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 400V 16A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP350
仓库库存编号：
IRFP350-ND
别名：*IRFP350
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 500V 14A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP450
仓库库存编号：
IRFP450IR-ND
别名：*IRFP450
IRFP450IR
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 7.8A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 800V 7.8A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFPE50
仓库库存编号：
IRFPE50-ND
别名：*IRFPE50
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 1000V 6.1A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 6.1A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFPG50
仓库库存编号：
IRFPG50-ND
别名：*IRFPG50
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 500V 14A（Tc） 190W（Tc） TO-247AD
型号：
IRFP450
仓库库存编号：
IRFP450X-ND
别名：IRFP450X
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 23A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 250V 23A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP254
仓库库存编号：
IRFP254-ND
别名：*IRFP254
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 450V 14A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 450V 14A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP354
仓库库存编号：
IRFP354-ND
别名：*IRFP354
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 500V 14A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP450A
仓库库存编号：
IRFP450A-ND
别名：*IRFP450A
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 500V 14A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP450LC
仓库库存编号：
IRFP450LC-ND
别名：*IRFP450LC
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60V 50A（Tc） 190W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFZ48R
仓库库存编号：
IRFZ48R-ND
别名：*IRFZ48R
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 16A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 400V 16A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP350LC
仓库库存编号：
IRFP350LC-ND
别名：*IRFP350LC
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 11A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 500V 11A（Tc） 190W（Tc） TO-262-3
型号：
IRFSL11N50A
仓库库存编号：
IRFSL11N50A-ND
别名：*IRFSL11N50A
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 11A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFPC50LC
仓库库存编号：
IRFPC50LC-ND
别名：*IRFPC50LC
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 450V 14A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 450V 14A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP354PBF
仓库库存编号：
IRFP354PBF-ND
别名：*IRFP354PBF
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 25A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 200V 25A（Tc） 190W（Tc） TO-3P
型号：
FQA19N20L
仓库库存编号：
FQA19N20L-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 61A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 100V 61A（Tc） 190W（Tc） TO-3P
型号：
FQA55N10
仓库库存编号：
FQA55N10-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 17.2A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 400V 17.2A（Tc） 190W（Tc） TO-3PN
型号：
FQA17N40
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FQA17N40-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 13.4A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 500V 13.4A（Tc） 190W（Tc） TO-3P
型号：
FQA13N50
仓库库存编号：
FQA13N50-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 200V 30A（Tc） 190W（Tc） TO-247AD
型号：
IRFP250
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IRFP250-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
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