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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 313W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW26NM50
  仓库库存编号：497-3264-5-ND
  别名：497-3264-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 313W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 34.6A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 34.6A（Tc） 313W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：SPW35N60C3
  仓库库存编号：SPW35N60C3IN-ND
  别名：SP000014970
  SPW35N60C3-ND
  SPW35N60C3FKSA1
  SPW35N60C3IN
  SPW35N60C3X
  SPW35N60C3XK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 313W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 39A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 39A（Tc） 313W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R075CP
  仓库库存编号：IPW60R075CPIN-ND
  别名：IPW60R075CPFKSA1
  IPW60R075CPIN
  IPW60R075CPXK
  SP000358192
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 313W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 32.4A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 32.4A（Tc） 313W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG33N65E-GE3
  仓库库存编号：SIHG33N65E-GE3CT-ND
  别名：SIHG33N65E-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 313W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 43A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 43A（Tc） 313W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP38N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHP38N60E-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 313W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 31.6A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 31.6A（Tc） 313W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG33N65EF-GE3
  仓库库存编号：SIHG33N65EF-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 313W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 43A TO247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 43A（Tc） 313W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG47N60AE-GE3
  仓库库存编号：SIHG47N60AE-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 313W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N CH 300V 38A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Tc） 313W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB38N30U
  仓库库存编号：FDB38N30UCT-ND
  别名：FDB38N30UCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 313W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 120A（Tc） 313W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB048N15N5LFATMA1
  仓库库存编号：IPB048N15N5LFATMA1-ND
  别名：SP001503860
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 313W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 34.1A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 34.1A（Tc） 313W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：SPW35N60CFDFKSA1
  仓库库存编号：SPW35N60CFDFKSA1-ND
  别名：SP000065487
  SPW35N60CFD
  SPW35N60CFD-ND
  SPW35N60CFDIN
  SPW35N60CFDIN-ND
  SPW35N60CFDX
  SPW35N60CFDXK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 313W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET IFX OPTIMOS TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 50A（Tc） 313W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRF300P227
  仓库库存编号：IRF300P227-ND
  别名：SP001582356
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 313W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET IFX OPTIMOS TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 100A（Tc） 313W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRF200P223
  仓库库存编号：IRF200P223-ND
  别名：SP001582440
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 313W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET IFX OPTIMOS TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 69A（Tc） 313W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRF250P225
  仓库库存编号：IRF250P225-ND
  别名：SP001582436
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 313W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET IFX OPTIMOS TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 96A（Tc） 313W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRF250P224
  仓库库存编号：IRF250P224-ND
  别名：SP001582438
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 313W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 30A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 30A（Tc） 313W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW26NM60
  仓库库存编号：497-3265-5-ND
  别名：497-3265-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 313W（Tc）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 123A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 123A（Tc） 313W（Tc） TO-264
  
  型号：NTY100N10
  仓库库存编号：NTY100N10-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 313W（Tc）,
• 含铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 123A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 123A（Tc） 313W（Tc） TO-264
  
  型号：NTY100N10G
  仓库库存编号：NTY100N10G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 313W（Tc）,
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