以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 42A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 42A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB43N65M5
  仓库库存编号：497-16299-1-ND
  别名：497-16299-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 1200V 12A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 250W（Tc） TO-220
  
  型号：STP12N120K5
  仓库库存编号：497-15554-5-ND
  别名：497-15554-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 1200V 12A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 250W（Tc） TO-247
  
  型号：STW12N120K5
  仓库库存编号：497-15446-5-ND
  别名：497-15446-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 35A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB45N50DM2AG
  仓库库存编号：497-16134-1-ND
  别名：497-16134-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 20A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 250W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG20N50C-E3
  仓库库存编号：SIHG20N50C-E3-ND
  别名：SIHG20N50CE3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 32A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 32A（Tc） 250W（Tc） TO-220
  
  型号：STP40N65M2
  仓库库存编号：497-15561-5-ND
  别名：497-15561-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 32A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 32A（Tc） 250W（Tc） TO-247
  
  型号：STW40N65M2
  仓库库存编号：497-15576-5-ND
  别名：497-15576-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 400V 38A
  详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 250W（Tc） TO-220
  
  型号：STP45N40DM2AG
  仓库库存编号：497-16136-5-ND
  别名：497-16136-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 34A EP TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 250W（Tc） TO-220
  
  型号：STP42N60M2-EP
  仓库库存编号：497-15893-5-ND
  别名：497-15893-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 1500V 7A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 250W（Tc） TO-247
  
  型号：STW12N150K5
  仓库库存编号：497-16027-5-ND
  别名：497-16027-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 42A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 42A（Tc） 250W（Tc） TO-220
  
  型号：STP57N65M5
  仓库库存编号：497-13113-5-ND
  别名：497-13113-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 42A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 42A（Tc） 250W（Tc） TO-247
  
  型号：STW57N65M5
  仓库库存编号：497-13125-5-ND
  别名：497-13125-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 150V 27A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 27A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF6218STRLPBF
  仓库库存编号：IRF6218STRLPBFCT-ND
  别名：IRF6218STRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-7-3
  
  型号：IPB009N03L G
  仓库库存编号：IPB009N03L GCT-ND
  别名：IPB009N03L GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB015N04L G
  仓库库存编号：IPB015N04L GCT-ND
  别名：IPB015N04L GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB019N06L3 G
  仓库库存编号：IPB019N06L3 GCT-ND
  别名：IPB019N06L3 GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 250W（Tc） TO-220-3
  
  型号：CSD18532KCS
  仓库库存编号：296-34941-5-ND
  别名：296-34941-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-7-3
  
  型号：IPB011N04L G
  仓库库存编号：IPB011N04L GCT-ND
  别名：IPB011N04L GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-7
  
  型号：IPB016N06L3 G
  仓库库存编号：IPB016N06L3 GCT-ND
  别名：IPB016N06L3 GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 20A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FDP20N50
  仓库库存编号：FDP20N50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 900V 18.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 18.5A（Tc） 250W（Tc） TO-220-3
  
  型号：STP21N90K5
  仓库库存编号：497-12864-5-ND
  别名：497-12864-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 6A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 250W（Tc） TO-263（IXFA）
  
  型号：IXFA6N120P
  仓库库存编号：IXFA6N120P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 29A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 250W（Tc） TO-220-3
  
  型号：STP34NM60N
  仓库库存编号：497-10884-5-ND
  别名：497-10884-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO-268HV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.5A（Tc） 250W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT1N250HV
  仓库库存编号：IXTT1N250HV-ND
  别名：628949
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 150V 27A TO-220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 27A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF6218PBF
  仓库库存编号：IRF6218PBF-ND
  别名：*IRF6218PBF
  SP001564812
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
• 无铅
• 搜索