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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 130A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 130A（Tc） 250W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRFP064VPBF
  仓库库存编号：IRFP064VPBF-ND
  别名：*IRFP064VPBF
  SP001556686
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 75A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
  
  型号：PHB145NQ06T,118
  仓库库存编号：PHB145NQ06T,118-ND
  别名：934058549118
  PHB145NQ06T /T3
  PHB145NQ06T /T3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 75A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
  
  型号：PHB176NQ04T,118
  仓库库存编号：PHB176NQ04T,118-ND
  别名：934058535118
  PHB176NQ04T /T3
  PHB176NQ04T /T3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 75A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PHP174NQ04LT,127
  仓库库存编号：PHP174NQ04LT,127-ND
  别名：934058534127
  PHP174NQ04LT
  PHP174NQ04LT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 75A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PHP176NQ04T,127
  仓库库存编号：PHP176NQ04T,127-ND
  别名：934058536127
  PHP176NQ04T
  PHP176NQ04T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 34V 75A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 34V 75A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK7L06-34ARC,127
  仓库库存编号：BUK7L06-34ARC,127-ND
  别名：934057493127
  BUK7L06-34ARC
  BUK7L06-34ARC-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB065N06L G
  仓库库存编号：IPB065N06L G-ND
  别名：IPB063N06LGXT
  IPB065N06LGXT
  SP000204183
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP065N06LGAKSA1
  仓库库存编号：IPP065N06LGAKSA1-ND
  别名：IPP065N06L G
  IPP065N06L G-ND
  IPP065N06LG
  IPP065N06LGXK
  SP000204182
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP070N06N G
  仓库库存编号：IPP070N06NGIN-ND
  别名：IPP070N06N G-ND
  IPP070N06NG
  IPP070N06NGIN
  IPP070N06NGXK
  SP000204186
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 70A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 70A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB70N10L
  仓库库存编号：SPB70N10L-ND
  别名：SP000012079
  SPB70N10LT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N06S2-07
  仓库库存编号：SPB80N06S2-07-ND
  别名：SP000013578
  SPB80N06S207T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N06S2L-06
  仓库库存编号：SPB80N06S2L-06-ND
  别名：SP000013577
  SPB80N06S2L06T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N10L
  仓库库存编号：SPB80N10L-ND
  别名：SP000014350
  SPB80N10LT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 70A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 70A（Tc） 250W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI70N10L
  仓库库存编号：SPI70N10L-ND
  别名：SP000014005
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI80N06S2-07
  仓库库存编号：SPI80N06S2-07-ND
  别名：SP000013784
  SPI80N06S207
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 80A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI80N10L
  仓库库存编号：SPI80N10L-ND
  别名：SP000014351
  SPI80N10LX
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 70A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 70A（Tc） 250W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP70N10L
  仓库库存编号：SPP70N10LIN-ND
  别名：SP000012103
  SPP70N10L-ND
  SPP70N10LIN
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP80N06S2-07
  仓库库存编号：SPP80N06S2-07-ND
  别名：SP000013579
  SPP80N06S207
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP80N06S2L-06
  仓库库存编号：SPP80N06S2L-06-ND
  别名：SP000013576
  SPP80N06S2L06
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP80N10L
  仓库库存编号：SPP80N10L-ND
  别名：SP000014349
  SPP80N10LX
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 80A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N10L G
  仓库库存编号：SPB80N10LGINCT-ND
  别名：SPB80N10LG
  SPB80N10LGINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N06S207ATMA1
  仓库库存编号：IPB80N06S207ATMA1TR-ND
  别名：IPB80N06S2-07
  IPB80N06S2-07-ND
  SP000218818
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N06S2L06ATMA1
  仓库库存编号：IPB80N06S2L06ATMA1TR-ND
  别名：IPB80N06S2L-06
  IPB80N06S2L-06-ND
  SP000218163
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI024N06N3GHKSA1
  仓库库存编号：IPI024N06N3GHKSA1-ND
  别名：IPI024N06N3 G
  IPI024N06N3 G-ND
  SP000451486
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI070N06N G
  仓库库存编号：IPI070N06N G-ND
  别名：SP000208612
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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