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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 14A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB13N50APBF
  仓库库存编号：IRFB13N50APBF-ND
  别名：*IRFB13N50APBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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  无铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 32A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 32A（Tc） 250W（Tc） I2PAK
  
  型号：STI40N65M2
  仓库库存编号：497-15552-5-ND
  别名：497-15552-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 850V 19A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 19A（Tc） 250W（Tc） TO-247
  
  型号：STW23N85K5
  仓库库存编号：497-14581-5-ND
  别名：497-14581-5
  STW23N85K5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 950V 17.5A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 17.5A（Tc） 250W（Tc） TO-247
  
  型号：STW22N95K5
  仓库库存编号：497-14580-5-ND
  别名：497-14580-5
  STW22N95K5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 34A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 250W（Tc） TO-220
  
  型号：STP40N60M2
  仓库库存编号：497-14222-5-ND
  别名：497-14222-5
  STP40N60M2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 950V 17.5A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 17.5A（Tc） 250W（Tc） TO-247
  
  型号：STWA20N95K5
  仓库库存编号：497-14583-5-ND
  别名：497-14583-5
  STWA20N95K5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-7
  
  型号：IPB017N06N3 G
  仓库库存编号：IPB017N06N3 GCT-ND
  别名：IPB017N06N3 GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 80V 120A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） TO-220
  
  型号：STP170N8F7
  仓库库存编号：497-16008-5-ND
  别名：497-16008-5
  STP170N8F7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 26A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP25N50E-GE3
  仓库库存编号：SIHP25N50E-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 34A
  详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 250W（Tc） TO-220
  
  型号：STP45N60DM2AG
  仓库库存编号：497-16128-5-ND
  别名：497-16128-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 34A
  详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 250W（Tc） TO-247
  
  型号：STW45N60DM2AG
  仓库库存编号：497-16132-5-ND
  别名：497-16132-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
  
  型号：SIHB24N65E-E3
  仓库库存编号：SIHB24N65E-E3-ND
  别名：SIHB24N65EE3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 34A
  详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 250W（Tc） TO-247
  
  型号：STW43N60DM2
  仓库库存编号：497-16343-5-ND
  别名：497-16343-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 28A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP28N60EF-GE3
  仓库库存编号：SIHP28N60EF-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 900 V, 0.24 OHM TYP.,
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 250W（Tc） TO-220
  
  型号：STP20N90K5
  仓库库存编号：497-17087-ND
  别名：497-17087
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 28A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 250W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG28N60EF-GE3
  仓库库存编号：SIHG28N60EF-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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  N-CHANNEL 900 V, 0.24 OHM TYP.,
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 250W（Tc） TO-247
  
  型号：STW20N90K5
  仓库库存编号：497-17089-ND
  别名：497-17089
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 250W（Tc） TO-247 长引线
  
  型号：STWA12N120K5
  仓库库存编号：497-16029-5-ND
  别名：497-16029-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 120A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFSL4310ZPBF
  仓库库存编号：IRFSL4310ZPBF-ND
  别名：SP001557618
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 100V 120A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） TO-220
  
  型号：STP130N10F3
  仓库库存编号：497-12984-5-ND
  别名：497-12984-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 25A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP25N60EFL-GE3
  仓库库存编号：SIHP25N60EFL-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 25A TO247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 25A（Tc） 250W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG25N60EFL-GE3
  仓库库存编号：SIHG25N60EFL-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP24N65E-E3
  仓库库存编号：SIHP24N65E-E3-ND
  别名：SIHP24N65EE3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
  
  型号：SIHB24N65E-GE3
  仓库库存编号：SIHB24N65E-GE3-ND
  别名：SIHB24N65EGE3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 24A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 250W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：SIHB24N65EF-GE3
  仓库库存编号：SIHB24N65EF-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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