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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 32A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 32A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP35N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHP35N60E-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 250W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG24N65EF-GE3
  仓库库存编号：SIHG24N65EF-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 32A D2PAK TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Tc） 250W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：SIHB35N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHB35N60E-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 250W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG30N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHG30N60E-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 28A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP28N65EF-GE3
  仓库库存编号：SIHP28N65EF-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 32A TO247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 32A（Tc） 250W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG35N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHG35N60E-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 28A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 250W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG28N65EF-GE3
  仓库库存编号：SIHG28N65EF-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 19.5A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 19.5A（Tc） 250W（Tc） TO-220
  
  型号：STP25N80K5
  仓库库存编号：497-13653-5-ND
  别名：497-13653-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 19.5A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 19.5A（Tc） 250W（Tc） TO-247
  
  型号：STW25N80K5
  仓库库存编号：497-13659-5-ND
  别名：497-13659-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 34A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 250W（Tc） TO-247
  
  型号：STW40N60M2
  仓库库存编号：497-14203-5-ND
  别名：497-14203-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 42A I2PAK-3
  详细描述：通孔 N 沟道 42A（Tc） 250W（Tc） I2PAK
  
  型号：STI57N65M5
  仓库库存编号：497-13107-5-ND
  别名：497-13107-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 42A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 42A（Tc） 250W（Tc） TO-247
  
  型号：STWA57N65M5
  仓库库存编号：497-13604-5-ND
  别名：497-13604-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 150V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN035-150B,118
  仓库库存编号：1727-4773-1-ND
  别名：1727-4773-1
  568-5951-1
  568-5951-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 200V 35A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN070-200B,118
  仓库库存编号：1727-4775-1-ND
  别名：1727-4775-1
  568-5953-1
  568-5953-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Tc） 250W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB28N30TM
  仓库库存编号：FDB28N30TMCT-ND
  别名：FDB28N30TMCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK
  详细描述：N 沟道 200A（Ta），170A（Tc） 250W（Tc） DDPAK/TO-263-3
  
  型号：CSD18542KTTT
  仓库库存编号：296-44124-1-ND
  别名：296-44124-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 80V 120A H2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） H2Pak-2
  
  型号：STH170N8F7-2
  仓库库存编号：497-16002-1-ND
  别名：497-16002-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 200V 35A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 35A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN070-200P,127
  仓库库存编号：1727-4662-ND
  别名：1727-4662
  568-5779
  568-5779-5
  568-5779-5-ND
  568-5779-ND
  934055718127
  PSMN070-200P
  PSMN070-200P,127-ND
  PSMN070-200P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 20A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 250W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP20N50F
  仓库库存编号：FDP20N50F-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 250W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB20N50F
  仓库库存编号：FDB20N50FCT-ND
  别名：FDB20N50FCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 90A H2PAK-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 250W（Tc） H2PAK
  
  型号：STH150N10F7-2
  仓库库存编号：497-14979-1-ND
  别名：497-14979-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP015N04NGXKSA1
  仓库库存编号：IPP015N04NGXKSA1-ND
  别名：IPP015N04N G
  IPP015N04N G-ND
  IPP015N04NG
  SP000680760
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP030N10N5AKSA1
  仓库库存编号：IPP030N10N5AKSA1-ND
  别名：SP001227032
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 34A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 34A（Tc） 250W（Tc） DPAK
  
  型号：STB45N60DM2AG
  仓库库存编号：497-16129-1-ND
  别名：497-16129-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 34A EP D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 34A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB42N60M2-EP
  仓库库存编号：497-15896-1-ND
  别名：497-15896-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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