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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-7-3
  
  型号：IPB011N04NGATMA1
  仓库库存编号：IPB011N04NGATMA1CT-ND
  别名：IPB011N04NGATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-7-3
  
  型号：IPB180N04S4H0ATMA1
  仓库库存编号：IPB180N04S4H0ATMA1CT-ND
  别名：IPB180N04S4H0ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
  
  型号：AUIRFS4310ZTRL
  仓库库存编号：AUIRFS4310ZTRLCT-ND
  别名：AUIRFS4310ZTRLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB027N10N5ATMA1
  仓库库存编号：IPB027N10N5ATMA1CT-ND
  别名：IPB027N10N5ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 950V 17.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17.5A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB20N95K5
  仓库库存编号：497-12850-1-ND
  别名：497-12850-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 42A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 42A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB57N65M5
  仓库库存编号：497-13087-1-ND
  别名：497-13087-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 34A EP TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 250W（Tc） TO-247
  
  型号：STW42N60M2-EP
  仓库库存编号：497-15883-5-ND
  别名：497-15883-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 34A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB40N60M2
  仓库库存编号：497-14963-1-ND
  别名：497-14963-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 950V 17.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 17.5A（Tc） 250W（Tc） TO-220-3
  
  型号：STP20N95K5
  仓库库存编号：497-12863-5-ND
  别名：497-12863-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 950V 17.5A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 17.5A（Tc） 250W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW20N95K5
  仓库库存编号：497-12872-5-ND
  别名：497-12872-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 900V TO-3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Ta） 250W（Tc） TO-3P（N）
  
  型号：TK9J90E,S1E
  仓库库存编号：TK9J90ES1E-ND
  别名：TK9J90E,S1E(S
  TK9J90ES1E
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 110A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 250W（Tc） TO-220
  
  型号：STP150N10F7
  仓库库存编号：497-14570-5-ND
  别名：497-14570-5
  STP150N10F7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 26A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 250W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG25N50E-GE3
  仓库库存编号：SIHG25N50E-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP24N65E-GE3
  仓库库存编号：SIHP24N65E-GE3-ND
  别名：SIHP24N65E-GE3CT
  SIHP24N65E-GE3CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
  
  型号：SIHB30N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHB30N60E-GE3-ND
  别名：SIHB30N60EGE3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 250W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG24N65E-GE3
  仓库库存编号：SIHG24N65E-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
  
  型号：SIHB28N60EF-GE3
  仓库库存编号：SIHB28N60EF-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 200V 39A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 39A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN057-200B,118
  仓库库存编号：1727-4774-1-ND
  别名：1727-4774-1
  568-5952-1
  568-5952-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 110A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 250W（Tc） I2PAK（TO-262）
  
  型号：STI150N10F7
  仓库库存编号：497-15015-5-ND
  别名：497-15015-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 120A H2PAK-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） H2PAK
  
  型号：STH130N10F3-2
  仓库库存编号：497-13091-1-ND
  别名：497-13091-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 100V TO-263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Ta） 250W（Tc） DDPAK/TO-263-3
  
  型号：CSD19532KTTT
  仓库库存编号：296-43211-1-ND
  别名：296-43211-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET NCH 600V 34A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 34A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB43N60DM2
  仓库库存编号：STB43N60DM2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 24A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB30N80K5
  仓库库存编号：STB30N80K5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 34A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 250W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW40N60M2-4
  仓库库存编号：STW40N60M2-4-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 40A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 40A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP065N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHP065N60E-GE3CT-ND
  别名：SIHP065N60E-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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