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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 800V TO-3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Ta） 250W（Tc） TO-3P（N）
  
  型号：TK10J80E,S1E
  仓库库存编号：TK10J80ES1E-ND
  别名：TK10J80E,S1E(S
  TK10J80ES1E
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 48A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 48A（Tc） 250W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ48N20T
  仓库库存编号：IXTQ48N20T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 650V
  详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP28N65E-GE3
  仓库库存编号：SIHP28N65E-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 16A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 250W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG16N50C-E3
  仓库库存编号：SIHG16N50C-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 5A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 250W（Tc） TO-263（IXFA）
  
  型号：IXFA5N100P
  仓库库存编号：IXFA5N100P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 16A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP16N50C-E3
  仓库库存编号：SIHP16N50C-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP24N65EF-GE3
  仓库库存编号：SIHP24N65EF-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP5N100P
  仓库库存编号：IXFP5N100P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 55V 140A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 140A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP140N055T2
  仓库库存编号：IXTP140N055T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 16A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 250W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：SIHB16N50C-E3
  仓库库存编号：SIHB16N50C-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 650V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 250W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SIHB24N65ET1-GE3
  仓库库存编号：SIHB24N65ET1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 650V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 250W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SIHB24N65ET5-GE3
  仓库库存编号：SIHB24N65ET5-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  150V TO263 7L JEDEC GREEN EMC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.8A（Tc） 250W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：FDB0690N1507L
  仓库库存编号：FDB0690N1507L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 250W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG24N65E-E3
  仓库库存编号：SIHG24N65E-E3-ND
  别名：SIHG24N65EE3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 250W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG30N60E-E3
  仓库库存编号：SIHG30N60E-E3-ND
  别名：SIHG30N60EE3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 1200V 6A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 250W（Tc） TO-263（IXFA）
  
  型号：IXFA6N120P TRL
  仓库库存编号：IXFA6N120P TRL-ND
  别名：Q10805674
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 250W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH6N120P
  仓库库存编号：IXFH6N120P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1500V 3A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1500V 3A（Tc） 250W（Tc） TO-263
  
  型号：IXTA3N150HV
  仓库库存编号：IXTA3N150HV-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1500V 3A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 1500V 3A（Tc） 250W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH3N150
  仓库库存编号：IXTH3N150-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 22A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 22A（Tc） 250W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR24N50Q
  仓库库存编号：IXFR24N50Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 500V 24A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 24A（Tc） 250W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR24N50
  仓库库存编号：IXFR24N50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 26A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 26A（Tc） 250W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR26N50
  仓库库存编号：IXFR26N50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 150V 67A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 67A（Tc） 250W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR70N15
  仓库库存编号：IXFR70N15-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 13A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 13A（Tc） 250W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT13N80Q
  仓库库存编号：IXFT13N80Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 60A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 60A（Tc） 250W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR102N30P
  仓库库存编号：IXFR102N30P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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