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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 13A（Tc） 250W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR15N80Q
  仓库库存编号：IXFR15N80Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 10A（Tc） 250W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR12N100Q
  仓库库存编号：IXFR12N100Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 25A ISO264
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 25A（Tc） 250W（Tc） ISO264?
  
  型号：IXKG25N80C
  仓库库存编号：IXKG25N80C-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 9A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 9A（Tc） 250W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR10N100Q
  仓库库存编号：IXFR10N100Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N06S207ATMA4
  仓库库存编号：IPB80N06S207ATMA4-ND
  别名：SP001067870
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP80N06S207AKSA4
  仓库库存编号：IPP80N06S207AKSA4-ND
  别名：SP001067876
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：IPI80N06S207AKSA2
  仓库库存编号：IPI80N06S207AKSA2-ND
  别名：SP001067874
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 70A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB70N10SL16ATMA1
  仓库库存编号：IPB70N10SL16ATMA1TR-ND
  别名：IPB70N10SL-16
  IPB70N10SL-16-ND
  SP000225700
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB120N06S4H1ATMA2
  仓库库存编号：IPB120N06S4H1ATMA2-ND
  别名：SP001028782
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 180A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-7-3
  
  型号：IPB180N03S4LH0ATMA1
  仓库库存编号：IPB180N03S4LH0ATMA1TR-ND
  别名：IPB180N03S4L-H0
  IPB180N03S4L-H0-ND
  SP000555050
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 180A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-7-3
  
  型号：IPB180N04S4LH0ATMA1
  仓库库存编号：IPB180N04S4LH0ATMA1-ND
  别名：SP000979636
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 70A（Tc） 250W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI70N10SL16AKSA1
  仓库库存编号：IPI70N10SL16AKSA1-ND
  别名：IPI70N10SL-16
  IPI70N10SL-16-ND
  SP000225705
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 70A（Tc） 250W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP70N10SL16AKSA1
  仓库库存编号：IPP70N10SL16AKSA1-ND
  别名：IPP70N10SL-16
  IPP70N10SL-16-ND
  SP000225708
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 180A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-7-3
  
  型号：IPB180N06S4H1ATMA2
  仓库库存编号：IPB180N06S4H1ATMA2-ND
  别名：SP001028786
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB120N10S403ATMA1
  仓库库存编号：IPB120N10S403ATMA1-ND
  别名：SP001102598
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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  MOSFET P-CH 150V 27A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 150V 27A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
  
  型号：AUIRF6218STRL
  仓库库存编号：AUIRF6218STRLTR-ND
  别名：AUIRF6218STRLTR
  SP001517990
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 180A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-7-3
  
  型号：IPB180N10S403ATMA1
  仓库库存编号：IPB180N10S403ATMA1-ND
  别名：SP000915592
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP120N06S4H1AKSA2
  仓库库存编号：IPP120N06S4H1AKSA2-ND
  别名：SP001028780
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-1
  
  型号：IPI120N10S403AKSA1
  仓库库存编号：IPI120N10S403AKSA1-ND
  别名：SP001102584
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 180A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-7
  
  型号：IPB024N10N5ATMA1
  仓库库存编号：IPB024N10N5ATMA1-ND
  别名：SP001482034
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP024N06N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP024N06N3GXKSA1-ND
  别名：IPP024N06N3 G
  IPP024N06N3 G-ND
  IPP024N06N3G
  SP000680764
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP120N10S403AKSA1
  仓库库存编号：IPP120N10S403AKSA1-ND
  别名：SP001102564
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 136A TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 136A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-7
  
  型号：IPB060N15N5ATMA1
  仓库库存编号：IPB060N15N5ATMA1-ND
  别名：SP001607814
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 20A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 20A（Tc） 250W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW20NB50
  仓库库存编号：497-2662-5-ND
  别名：497-2662-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 80A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 250W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW80NE06-10
  仓库库存编号：497-2790-5-ND
  别名：497-2790-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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