产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 417W(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 650V 18A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 417W(Tc) TO-247
型号:
AOK18N65L
仓库库存编号:
785-1589-5-ND
别名:785-1456-5
785-1456-5-ND
785-1589-5
AOK18N65
AOK18N65L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 417W(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 37A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 37A(Tc) 417W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
AOB42S60L
仓库库存编号:
AOB42S60L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 417W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 47A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 600V 47A(Tc) 417W(Tc) TO-3PN
型号:
FCA47N60
仓库库存编号:
FCA47N60-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 417W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 47A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 600V 47A(Tc) 417W(Tc) TO-3PN
型号:
FCA47N60_F109
仓库库存编号:
FCA47N60_F109FS-ND
别名:FCA47N60_F109-ND
FCA47N60_F109FS
FCA47N60F109
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 417W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 34A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 800V 34A(Tc) 417W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT34N80LC3G
仓库库存编号:
APT34N80LC3G-ND
别名:APT34N80LC3GMI
APT34N80LC3GMI-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 417W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 650V 47A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 650V 47A(Tc) 417W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT47N65BC3G
仓库库存编号:
APT47N65BC3G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 417W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 70V 180A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 70V 180A(Tc) 417W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR180N07
仓库库存编号:
IXFR180N07-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 417W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 75A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 300V 75A(Tc) 417W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR90N30
仓库库存编号:
IXFR90N30-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 417W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 105A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 200V 105A(Tc) 417W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR120N20
仓库库存编号:
IXFR120N20-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 417W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 46A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 46A(Tc) 417W(Tc) PG-TO247-3
型号:
SPW47N60CFDFKSA1
仓库库存编号:
SPW47N60CFDFKSA1-ND
别名:SP000065376
SPW47N60CFD
SPW47N60CFD-ND
SPW47N60CFDIN
SPW47N60CFDIN-ND
SPW47N60CFDX
SPW47N60CFDXK
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 417W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 45A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 45A(Tc) 417W(Tc) TO-247-3
型号:
STW45NM50FD
仓库库存编号:
497-2718-5-ND
别名:497-2718-5
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 417W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 47A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 47A(Tc) 417W(Tc) TO-247
型号:
FCH47N60
仓库库存编号:
FCH47N60-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 417W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 47A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 47A(Tc) 417W(Tc) TO-247
型号:
FCH47N60F
仓库库存编号:
FCH47N60F-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 417W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 79A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 150V 79A(Tc) 417W(Tc) TO-3PN
型号:
FDA79N15
仓库库存编号:
FDA79N15-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 417W(Tc),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 47A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 650V 47A(Tc) 417W(Tc) TO-247AD
型号:
SIHW47N65E-GE3
仓库库存编号:
SIHW47N65E-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 417W(Tc),
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