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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 110A MAX247
  详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 625W（Tc） MAX247?
  
  型号：STY105NM50N
  仓库库存编号：497-13290-5-ND
  别名：497-13290-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 625W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 130A MAX247
  详细描述：通孔 N 沟道 130A（Tc） 625W（Tc） MAX247?
  
  型号：STY139N65M5
  仓库库存编号：497-13043-5-ND
  别名：497-13043-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 625W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 55A TO-264AA
  详细描述：通孔 N 沟道 55A（Tc） 625W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK55N50
  仓库库存编号：IXFK55N50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 625W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 48A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 48A（Tc） 625W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FDA50N50
  仓库库存编号：FDA50N50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 625W（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 14A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 625W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT13F120B
  仓库库存编号：APT13F120B-ND
  别名：APT13F120BMI
  APT13F120BMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 625W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 45A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 45A（Tc） 625W（Tc） TO-247-3
  
  型号：FDH45N50F_F133
  仓库库存编号：FDH45N50F_F133-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 625W（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 17A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 625W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT17F100B
  仓库库存编号：APT17F100B-ND
  别名：APT17F100BMI
  APT17F100BMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 625W（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 625W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT14M120B
  仓库库存编号：APT14M120B-ND
  别名：APT14M120BMI
  APT14M120BMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 625W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 93A MAX247
  详细描述：通孔 N 沟道 96A（Tc） 625W（Tc） MAX247?
  
  型号：STY112N65M5
  仓库库存编号：497-11236-5-ND
  别名：497-11236-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 625W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 48A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 48A（Tc） 625W（Tc） TO-247
  
  型号：FDH50N50_F133
  仓库库存编号：FDH50N50_F133-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 625W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 87A SUPER247
  详细描述：通孔 N 沟道 87A（Tc） 625W（Tc） SUPER-247（TO-274AA）
  
  型号：SIHS90N65E-E3
  仓库库存编号：SIHS90N65E-E3CT-ND
  别名：SIHS90N65E-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 625W（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 42A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 42A（Tc） 625W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT42F50B
  仓库库存编号：APT42F50B-ND
  别名：APT42F50BMP
  APT42F50BMP-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 625W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 40A（Tc） 625W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN48N60P
  仓库库存编号：IXFN48N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 625W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 55A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 55A（Tc） 625W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN55N50
  仓库库存编号：IXFN55N50-ND
  别名：470724
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 625W（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 625W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT18M100B
  仓库库存编号：APT18M100B-ND
  别名：APT18M100BMI
  APT18M100BMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 625W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 1.05KVV 44A MAX247
  详细描述：通孔 N 沟道 44A（Tc） 625W（Tc） MAX247?
  
  型号：STY50N105DK5
  仓库库存编号：497-17225-ND
  别名：497-17225
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 625W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 138A MAX247
  详细描述：通孔 N 沟道 138A（Tc） 625W（Tc） MAX247?
  
  型号：STY145N65M5
  仓库库存编号：497-13638-5-ND
  别名：497-13638-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 625W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 600V 98A MAX247
  详细描述：通孔 N 沟道 98A（Tc） 625W（Tc） MAX247?
  
  型号：STY100NM60N
  仓库库存编号：497-13289-5-ND
  别名：497-13289-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 625W（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 22A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 625W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT22F80B
  仓库库存编号：APT22F80B-ND
  别名：APT22F80BMI
  APT22F80BMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 625W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 55A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 55A（Tc） 625W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX55N50
  仓库库存编号：IXFX55N50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 625W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 96A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 96A（Tc） 625W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ96N25T
  仓库库存编号：IXTQ96N25T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 625W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 96A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 96A（Tc） 625W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH96N25T
  仓库库存编号：IXTH96N25T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 625W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 96A PLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 96A（Tc） 625W（Tc） PLUS220
  
  型号：IXTV96N25T
  仓库库存编号：IXTV96N25T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 625W（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 25A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 25A（Tc） 625W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT24M80B
  仓库库存编号：APT24M80B-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 625W（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 22A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 23A（Tc） 625W（Tc） D3Pak
  
  型号：APT22F80S
  仓库库存编号：APT22F80S-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 625W（Tc）,
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