产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 520W（Tc）,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 44A（Tc） 520W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN44N50
仓库库存编号：
IXFN44N50-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 520W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 48A（Tc） 520W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN48N50
仓库库存编号：
IXFN48N50-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 520W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 70V 200A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 200A（Tc） 520W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN200N07
仓库库存编号：
IXFN200N07-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 520W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 4500V 1A TO268
详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Tc） 520W（Tc） TO-268
型号：
IXTT1N450HV
仓库库存编号：
IXTT1N450HV-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 520W（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 58A（Tc） 520W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT50M65JFLL
仓库库存编号：
APT50M65JFLL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 520W（Tc）,
无铅
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Cree/Wolfspeed
MOSFET NCH 1.7KV 72A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 72A（Tc） 520W（Tc） TO-247-3
型号：
C2M0045170D
仓库库存编号：
C2M0045170D-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 520W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 195A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 195A（Tc） 520W（Tc） TO-247AC
型号：
IRFP4468PBF
仓库库存编号：
IRFP4468PBF-ND
别名：SP001554960
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 520W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 93A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 93A（Tc） 520W（Tc） TO-247AC
型号：
IRFP4768PBF
仓库库存编号：
IRFP4768PBF-ND
别名：SP001571028
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 520W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 195A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 195A（Tc） 520W（Tc） TO-247AC
型号：
IRFP4368PBF
仓库库存编号：
IRFP4368PBF-ND
别名：SP001556774
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 520W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 73A TO247AC
详细描述：通孔 N 沟道 73A（Tc） 520W（Tc）
型号：
SIHG73N60E-GE3
仓库库存编号：
SIHG73N60E-GE3-ND
别名：SIHG73N60E-GE3CT
SIHG73N60E-GE3CT-ND
SIHG73N60EGE3
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 520W（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 46A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 46A（Tc） 520W（Tc） TO-264 [L]
型号：
APT5010LLLG
仓库库存编号：
APT5010LLLG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 520W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 70A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 520W（Tc） TO-247AD
型号：
SIHW70N60EF-GE3
仓库库存编号：
SIHW70N60EF-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 520W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 70A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 520W（Tc） TO-247AC
型号：
SIHG70N60EF-GE3
仓库库存编号：
SIHG70N60EF-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 520W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 64A TO247AD
详细描述：通孔 N 沟道 64A（Tc） 520W（Tc） TO-247AD
型号：
SIHW61N65EF-GE3
仓库库存编号：
SIHW61N65EF-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 520W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 64A TO247AC
详细描述：通孔 N 沟道 64A（Tc） 520W（Tc） TO-247AC
型号：
SIHG61N65EF-GE3
仓库库存编号：
SIHG61N65EF-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 520W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 27A（Tc） 520W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN27N80
仓库库存编号：
IXFN27N80-ND
别名：468185
Q1653251
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 520W（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 46A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 46A（Tc） 520W（Tc） TO-264 [L]
型号：
APT5010LFLLG
仓库库存编号：
APT5010LFLLG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 520W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 36A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 36A（Tc） 520W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN36N60
仓库库存编号：
IXFN36N60-ND
别名：460869
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 520W（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 33A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 33A（Tc） 520W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT8020JLL
仓库库存编号：
APT8020JLL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 520W（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 58A（Tc） 520W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT50M65JLL
仓库库存编号：
APT50M65JLL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 520W（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 37A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 37A（Tc） 520W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT37F50B
仓库库存编号：
APT37F50B-ND
别名：APT37F50BMI
APT37F50BMI-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 520W（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 46A（Tc） 520W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APT5010B2FLLG
仓库库存编号：
APT5010B2FLLG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 520W（Tc）,
无铅
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IXYS
250V/120A ULTRA JUNCTION X3-CLAS
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 520W（Tc） TO-3P
型号：
IXFQ120N25X3
仓库库存编号：
IXFQ120N25X3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 520W（Tc）,
无铅
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IXYS
250V/120A ULTRA JUNCTION X3-CLAS
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 520W（Tc） TO-247
型号：
IXFH120N25X3
仓库库存编号：
IXFH120N25X3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 520W（Tc）,
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IXYS
250V/120A ULTRA JUNCTION X3-CLAS
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 520W（Tc） TO-268HV
型号：
IXFT120N25X3HV
仓库库存编号：
IXFT120N25X3HV-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 520W（Tc）,
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