产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 735W(Tc),
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 53A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 53A(Tc) 735W(Tc) SOT-227B
型号:
IXTN60N50L2
仓库库存编号:
IXTN60N50L2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 735W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 90A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 90A(Tc) 735W(Tc) SOT-227B
型号:
IXTN90N25L2
仓库库存编号:
IXTN90N25L2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 735W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 52A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 600V 52A(Tc) 735W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK52N60Q2
仓库库存编号:
IXFK52N60Q2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 735W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 52A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 52A(Tc) 735W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX52N60Q2
仓库库存编号:
IXFX52N60Q2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 735W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 550V 60A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 550V 60A(Tc) 735W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX60N55Q2
仓库库存编号:
IXFX60N55Q2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 735W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 550V 60A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 550V 60A(Tc) 735W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK60N55Q2
仓库库存编号:
IXFK60N55Q2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 735W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 38A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 800V 38A(Tc) 735W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK38N80Q2
仓库库存编号:
IXFK38N80Q2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 735W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 38A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 800V 38A(Tc) 735W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX38N80Q2
仓库库存编号:
IXFX38N80Q2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 735W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 30A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 30A(Tc) 735W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK30N100Q2
仓库库存编号:
IXFK30N100Q2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 735W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 30A(Tc) 735W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX30N100Q2
仓库库存编号:
IXFX30N100Q2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 735W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 38A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 800V 38A(Tc) 735W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN38N80Q2
仓库库存编号:
IXFN38N80Q2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 735W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 200V 100A(Tc) 735W(Tc) SOT-227B
型号:
IXTN110N20L2
仓库库存编号:
IXTN110N20L2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 735W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 66A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 500V 66A(Tc) 735W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK66N50Q2
仓库库存编号:
IXFK66N50Q2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 735W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 66A(Tc) 735W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN66N50Q2
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IXFN66N50Q2-ND
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MOSFET N-CH 500V 66A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 66A(Tc) 735W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX66N50Q2
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