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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 0.1A VMT3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100mA（Ta） 150mW（Ta） VMT3
  
  型号：RZM001P02T2L
  仓库库存编号：RZM001P02T2LCT-ND
  别名：RZM001P02T2LCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150mW（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 0.1A VMT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Ta） 150mW（Ta） VMT3
  
  型号：RUM001L02T2CL
  仓库库存编号：RUM001L02T2CLCT-ND
  别名：RUM001L02T2CLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150mW（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V .1A SOT416
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Ta） 150mW（Ta） EMT3
  
  型号：2SK3019TL
  仓库库存编号：2SK3019TLCT-ND
  别名：2SK3019TLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150mW（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V .1A VMT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Ta） 150mW（Ta） VMT3
  
  型号：2SK3541T2L
  仓库库存编号：2SK3541T2LCT-ND
  别名：2SK3541T2LCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150mW（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 20V 500MA VESM
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500mA（Ta） 150mW（Ta） VESM
  
  型号：SSM3K36MFV,L3F
  仓库库存编号：SSM3K36MFVL3FCT-ND
  别名：SSM3K36MFV(TL3T)CT
  SSM3K36MFV(TL3T)CT-ND
  SSM3K36MFV(TPL3)CT
  SSM3K36MFV(TPL3)CT-ND
  SSM3K36MFVL3FCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150mW（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 50V 0.2A VMT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 150mW（Ta） VMT3
  
  型号：RYM002N05T2CL
  仓库库存编号：RYM002N05T2CLCT-ND
  别名：RYM002N05T2CLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150mW（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523
  详细描述：表面贴装 N 沟道 115mA（Ta） 150mW（Ta） SOT-523
  
  型号：2N7002T-7-F
  仓库库存编号：2N7002T-FDICT-ND
  别名：2N7002T-FDICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150mW（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 300MA VMT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300mA（Ta） 150mW（Ta） VMT3
  
  型号：RUM003N02T2L
  仓库库存编号：RUM003N02T2LCT-ND
  别名：RUM003N02T2LCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150mW（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 500MA SC-75A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500mA（Ta） 150mW（Ta） SC-75A
  
  型号：SI1012R-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1012R-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1012R-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150mW（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 350MA SC-75A
  详细描述：表面贴装 P 沟道 350mA（Ta） 150mW（Ta） SC-75A
  
  型号：SI1013R-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1013R-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1013R-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150mW（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 30V 0.1A VESM
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100mA（Ta） 150mW（Ta） VESM
  
  型号：SSM3J15FV,L3F
  仓库库存编号：SSM3J15FVL3FCT-ND
  别名：SSM3J15FVL3FCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150mW（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 50V 0.2A EMT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 150mW（Ta） EMT3
  
  型号：RYE002N05TCL
  仓库库存编号：RYE002N05TCLCT-ND
  别名：RYE002N05TCLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150mW（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 0.1A SSM
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Ta） 150mW（Ta） USM
  
  型号：SSM3K15AFU,LF
  仓库库存编号：SSM3K15AFULFCT-ND
  别名：SSM3K15AFULFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150mW（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 20V 0.25A VESM
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250mA（Ta） 150mW（Ta） VESM
  
  型号：SSM3K37MFV,L3F
  仓库库存编号：SSM3K37MFVL3FCT-ND
  别名：SSM3K37MFVL3F(TCT
  SSM3K37MFVL3F(TCT-ND
  SSM3K37MFVL3FCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150mW（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 0.1A U-MOS III
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Ta） 150mW（Ta） VESM
  
  型号：SSM3K15AMFV,L3F
  仓库库存编号：SSM3K15AMFVL3FCT-ND
  别名：SSM3K15AMFVL3FCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150mW（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 20V 0.33A SSM
  详细描述：表面贴装 P 沟道 330mA（Ta） 150mW（Ta） SSM
  
  型号：SSM3J36FS,LF
  仓库库存编号：SSM3J36FSLFCT-ND
  别名：SSM3J36FS(T5LFT)CT
  SSM3J36FS(T5LFT)CT-ND
  SSM3J36FSLFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150mW（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 0.2A VMT3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200mA（Ta） 150mW（Ta） VMT3
  
  型号：RZM002P02T2L
  仓库库存编号：RZM002P02T2LCT-ND
  别名：RZM002P02T2LCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150mW（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 20V 0.1A USM
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Ta） 150mW（Ta） USM
  
  型号：SSM3K16FU,LF
  仓库库存编号：SSM3K16FULFCT-ND
  别名：SSM3K16FULFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150mW（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 0.2A VMT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 150mW（Ta） VMT3
  
  型号：RUM002N02T2L
  仓库库存编号：RUM002N02T2LCT-ND
  别名：RUM002N02T2LCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150mW（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 0.1A EMT3FM
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Ta） 150mW（Ta） EMT3F（SOT-416FL）
  
  型号：RE1C001UNTCL
  仓库库存编号：RE1C001UNTCLCT-ND
  别名：RE1C001UNTCLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150mW（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 0.1A UMT3F
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Ta） 150mW（Ta） UMT3F
  
  型号：RU1C001UNTCL
  仓库库存编号：RU1C001UNTCLCT-ND
  别名：RU1C001UNTCLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150mW（Ta）,
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• Panasonic Electronic Components
  MOSFET N-CH 30V 100MA SMINI3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Ta） 150mW（Ta） SMini3-F2-B
  
  型号：FK3503010L
  仓库库存编号：FK3503010LCT-ND
  别名：FK3503010LCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150mW（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 0.25A EMT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250mA（Ta） 150mW（Ta） EMT3
  
  型号：RSE002N06TL
  仓库库存编号：RSE002N06TLCT-ND
  别名：RSE002N06TLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150mW（Ta）,
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• Panasonic Electronic Components
  MOSFET N-CH 60V 100MA SMINI3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Ta） 150mW（Ta） SMini3-F2-B
  
  型号：FK3506010L
  仓库库存编号：FK3506010LCT-ND
  别名：FK3506010LCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150mW（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V .2A EMT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 150mW（Ta） EMT3
  
  型号：RUE002N02TL
  仓库库存编号：RUE002N02TLCT-ND
  别名：RUE002N02TLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 150mW（Ta）,
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