产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 320mW(Ta),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(23)
晶体管 - FET,MOSFET - 单
(23)
筛选品牌
Diodes Incorporated (11)
Rohm Semiconductor (10)
Toshiba Semiconductor and Storage (2)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 0.2A
详细描述:表面贴装 N 沟道 200mA(Ta) 320mW(Ta) SOT-23
型号:
T2N7002AK,LM
仓库库存编号:
T2N7002AKLMCT-ND
别名:T2N7002AKLM(BCT
T2N7002AKLM(BCT-ND
T2N7002AKLMCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 320mW(Ta),
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 0.4A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 400mA(Ta) 320mW(Ta) SOT-23-3
型号:
T2N7002BK,LM
仓库库存编号:
T2N7002BKLMCT-ND
别名:T2N7002BKLMCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 320mW(Ta),
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 2A TUMT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Ta) 320mW(Ta) TUMT3
型号:
RUF020N02TL
仓库库存编号:
RUF020N02TLCT-ND
别名:RUF020N02TLCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 320mW(Ta),
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.5A(Ta) 320mW(Ta) TUMT3
型号:
RTF015N03TL
仓库库存编号:
RTF015N03TLCT-ND
别名:RTF015N03TLCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 320mW(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 50V 360MA SOT323
详细描述:表面贴装 N 沟道 360mA(Ta) 320mW(Ta) SOT-323
型号:
DMN53D0LW-7
仓库库存编号:
DMN53D0LW-7DICT-ND
别名:DMN53D0LW-7DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 320mW(Ta),
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 1.5A TUMT3
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.5A(Ta) 320mW(Ta) TUMT3
型号:
RRF015P03GTL
仓库库存编号:
RRF015P03GTLCT-ND
别名:RRF015P03GTLCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 320mW(Ta),
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 1.5A TUMT3
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.5A(Ta) 320mW(Ta) TUMT3
型号:
RRF015P03TL
仓库库存编号:
RRF015P03TLCT-ND
别名:RRF015P03TLCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 320mW(Ta),
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 45V 1.6A TUMT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.6A(Ta) 320mW(Ta) TUMT3
型号:
RTF016N05TL
仓库库存编号:
RTF016N05TLCT-ND
别名:RTF016N05TLCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 320mW(Ta),
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 3.5A TUMT6
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.5A(Ta) 320mW(Ta) TUMT6
型号:
RRL035P03TR
仓库库存编号:
RRL035P03CT-ND
别名:RRL035P03CT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 320mW(Ta),
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 3.5A TUMT6
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.5A(Ta) 320mW(Ta) TUMT6
型号:
RUL035N02TR
仓库库存编号:
RUL035N02CT-ND
别名:RUL035N02CT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 320mW(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 0.34A
详细描述:表面贴装 N 沟道 340mA(Ta) 320mW(Ta) SOT-323
型号:
DMN62D0UW-7
仓库库存编号:
DMN62D0UW-7DICT-ND
别名:DMN62D0UW-7DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 320mW(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 25V .17A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 170mA(Ta) 320mW(Ta) SOT-23
型号:
DMG302PU-7
仓库库存编号:
DMG302PU-7DICT-ND
别名:DMG302PU-7DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 320mW(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 25V .26A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 260mA(Ta) 320mW(Ta) SOT-23
型号:
DMG301NU-13
仓库库存编号:
DMG301NU-13DICT-ND
别名:DMG301NU-13DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 320mW(Ta),
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 2.5A TUMT6
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.5A(Ta) 320mW(Ta) TUMT6
型号:
RAL025P01TCR
仓库库存编号:
RAL025P01TCRCT-ND
别名:RAL025P01TCRCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 320mW(Ta),
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 2.5A TUMT6
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.5A(Ta) 320mW(Ta) TUMT6
型号:
RRL025P03TR
仓库库存编号:
RRL025P03CT-ND
别名:RRL025P03CT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 320mW(Ta),
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.5A(Ta) 320mW(Ta) TUMT3
型号:
RUF025N02TL
仓库库存编号:
RUF025N02TLCT-ND
别名:RUF025N02TLCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 320mW(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 0.34A
详细描述:表面贴装 N 沟道 340mA(Ta) 320mW(Ta) SOT-323
型号:
DMN61D9UW-7
仓库库存编号:
DMN61D9UW-7DICT-ND
别名:DMN61D9UW-7DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 320mW(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V .25A X2-DFN0606
详细描述:表面贴装 N 沟道 250mA(Ta) 320mW(Ta) X2-DFN0606-3
型号:
DMN2990UFZ-7B
仓库库存编号:
DMN2990UFZ-7BDICT-ND
别名:DMN2990UFZ-7BDICT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 320mW(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V SOT323
详细描述:表面贴装 N 沟道 240mA(Ta) 320mW(Ta) SOT-323
型号:
DMN67D8LW-13
仓库库存编号:
DMN67D8LW-13-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 320mW(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 50V SOT323
详细描述:表面贴装 N 沟道 360mA(Ta) 320mW(Ta) SOT-323
型号:
DMN53D0LW-13
仓库库存编号:
DMN53D0LW-13DITR-ND
别名:DMN53D0LW-13DITR
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 320mW(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V SOT323
详细描述:表面贴装 N 沟道 240mA(Ta) 320mW(Ta) SOT-323
型号:
DMN67D8LW-7
仓库库存编号:
DMN67D8LW-7-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 320mW(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 25V .17A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 170mA(Ta) 320mW(Ta) SOT-23
型号:
DMG302PU-13
仓库库存编号:
DMG302PU-13DITR-ND
别名:DMG302PU-13DITR
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 320mW(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 25V .26A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 260mA(Ta) 320mW(Ta) SOT-23
型号:
DMG301NU-7
仓库库存编号:
DMG301NU-7-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 320mW(Ta),
无铅
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号