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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 0.155A SC-75A
  详细描述：表面贴装 P 沟道 155mA（Ta） 300mW（Ta） SC-75A
  
  型号：SI1031X-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1031X-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 300mW（Ta）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 0.915A SC75
  详细描述：表面贴装 N 沟道 915mA（Ta） 300mW（Ta） SC-75，SOT-416
  
  型号：NVA4153NT1G
  仓库库存编号：NVA4153NT1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 300mW（Ta）,
• 无铅
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• TT Electronics/Optek Technology
  MOSFET N-CH 60V 200MA SMD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 200mA（Ta） 300mW（Ta） 3-SMD
  
  型号：HCT7000M
  仓库库存编号：HCT7000M-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 300mW（Ta）,
• 含铅
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• TT Electronics/Optek Technology
  MOSFET N-CH 60V 200MA SMD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 200mA（Ta） 300mW（Ta） 3-SMD
  
  型号：HCT7000MTX
  仓库库存编号：HCT7000MTX-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 300mW（Ta）,
• 含铅
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• TT Electronics/Optek Technology
  MOSFET N-CH 60V 200MA SMD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 200mA（Ta） 300mW（Ta） 3-SMD
  
  型号：HCT7000MTXV
  仓库库存编号：HCT7000MTXV-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 300mW（Ta）,
• 含铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 250mA（Ta） 300mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：BS870-7
  仓库库存编号：BS870DICT-ND
  别名：BS870
  BS8707
  BS870CT
  BS870CT-ND
  BS870DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 300mW（Ta）,
• 含铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50V 200mA（Ta） 300mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：BSS138-7
  仓库库存编号：BSS138DICT-ND
  别名：BSS1387
  BSS138DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 300mW（Ta）,
• 含铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50V 130mA（Ta） 300mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：BSS84-7
  仓库库存编号：BSS84DICT-ND
  别名：BSS847
  BSS84DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 300mW（Ta）,
• 含铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 500mA（Ta） 300mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：MMBF170-7
  仓库库存编号：MMBF170DICT-ND
  别名：MMBF1707
  MMBF170DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 300mW（Ta）,
• 含铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 170mA（Ta） 300mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：BSS123-7
  仓库库存编号：BSS123DICT-ND
  别名：BSS1237
  BSS123DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 300mW（Ta）,
• 含铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 200mA（Ta） 300mW（Ta） SC-89-3
  
  型号：SI1032X-T1-E3
  仓库库存编号：SI1032X-T1-E3CT-ND
  别名：SI1032X-T1-E3CT
  SI1032XT1E3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 300mW（Ta）,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 1.8A SC88-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 1.8A（Ta） 300mW（Ta） SC-88/SC70-6/SOT-363
  
  型号：NTJS4160NT1G
  仓库库存编号：NTJS4160NT1GOSCT-ND
  别名：NTJS4160NT1GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 300mW（Ta）,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 0.155A SC-75A
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 155mA（Ta） 300mW（Ta） SC-75A
  
  型号：SI1031X-T1-E3
  仓库库存编号：SI1031X-T1-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 300mW（Ta）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 150MA SOT-323
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 150mA（Ta） 300mW（Ta） PG-SOT323-3
  
  型号：BSS84PW
  仓库库存编号：BSS84PWINCT-ND
  别名：BSS84PWINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 300mW（Ta）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 580MA SOT-323
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 580mA（Ta） 300mW（Ta） PG-SOT323-3
  
  型号：BSS209PW L6327
  仓库库存编号：BSS209PW L6327-ND
  别名：SP000245422
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 300mW（Ta）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 150MA SOT-323
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 150mA（Ta） 300mW（Ta） PG-SOT323-3
  
  型号：BSS84PW L6327
  仓库库存编号：BSS84PW L6327-ND
  别名：SP000247312
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 300mW（Ta）,
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