以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 750MA DFN1006H4
  详细描述：表面贴装 N 沟道 750mA（Ta） 470mW（Ta） X2-DFN1006-3
  
  型号：DMN2400UFB4-7
  仓库库存编号：DMN2400UFB4-7DICT-ND
  别名：DMN2400UFB4-7DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 470mW（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 750MA DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 750mA（Ta） 470mW（Ta） X2-DFN1006-3
  
  型号：DMN3730UFB4-7
  仓库库存编号：DMN3730UFB4-7CT-ND
  别名：DMN3730UFB4-7CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 470mW（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 750mA（Ta） 470mW（Ta） 3-X1DFN1006
  
  型号：DMN2400UFB-7
  仓库库存编号：DMN2400UFB-7DICT-ND
  别名：DMN2400UFB-7DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 470mW（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 1.73A 3UDFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.21A（Ta） 470mW（Ta） X1-DFN1212-3
  
  型号：DMN2300UFD-7
  仓库库存编号：DMN2300UFD-7DICT-ND
  别名：DMN2300UFD-7DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 470mW（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 750MA DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 750mA（Ta） 470mW（Ta） 3-DFN
  
  型号：DMN3730UFB-7
  仓库库存编号：DMN3730UFB-7CT-ND
  别名：DMN3730UFB-7CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 470mW（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 20V SOT1220
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.4A (Ta) 470mW（Ta） 6-DFN2020MD（2x2）
  
  型号：PMPB12UNEX
  仓库库存编号：1727-2703-1-ND
  别名：1727-2703-1
  568-13222-1
  568-13222-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 470mW（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 50V 0.18A DFN1006-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 180mA（Ta） 470mW（Ta） 3-DFN1006（1.0x0.6）
  
  型号：DMP58D0LFB-7
  仓库库存编号：DMP58D0LFB-7DICT-ND
  别名：DMP58D0LFB-7DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 470mW（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 410MA 3DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 410mA（Ta） 470mW（Ta） 3-DFN1006（1.0x0.6）
  
  型号：DMN62D1SFB-7B
  仓库库存编号：DMN62D1SFB-7BDI-ND
  别名：DMN62D1SFB-7BDI
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 470mW（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 3.6A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6A（Ta） 470mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：NTR3C21NZT3G
  仓库库存编号：NTR3C21NZT3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 470mW（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V X2-DFN1006-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Ta） 470mW（Ta） 3-X1DFN1006
  
  型号：DMN62D0LFB-7
  仓库库存编号：DMN62D0LFB-7DI-ND
  别名：DMN62D0LFB-7DI
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 470mW（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 3.6A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6A（Ta） 470mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：NTR3C21NZT1G
  仓库库存编号：NTR3C21NZT1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 470mW（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.1A（Ta） 470mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：NVR5124PLT1G
  仓库库存编号：NVR5124PLT1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 470mW（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 100MA 3-DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100mA（Ta） 470mW（Ta） 3-X1DFN1006
  
  型号：DMN62D0LFB-7B
  仓库库存编号：DMN62D0LFB-7BDICT-ND
  别名：DMN62D0LFB-7BDICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 470mW（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 50V 180MA 3-DFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50V 180mA（Ta） 470mW（Ta） 3-X1DFN1006
  
  型号：DMP58D0LFB-7B
  仓库库存编号：DMP58D0LFB-7BDICT-ND
  别名：DMP58D0LFB-7BDICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 470mW（Ta）,
• 无铅
• 搜索