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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.7A（Ta） 1.25W（Ta） Micro3?/SOT-23
  
  型号：IRLML0060TRPBF
  仓库库存编号：IRLML0060TRPBFCT-ND
  别名：IRLML0060TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.25W（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.2A（Ta） 1.25W（Ta） Micro3?/SOT-23
  
  型号：IRLML2060TRPBF
  仓库库存编号：IRLML2060TRPBFCT-ND
  别名：IRLML2060TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.25W（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Ta） 1.25W（Ta） Micro3?/SOT-23
  
  型号：IRLML5203TRPBF
  仓库库存编号：IRLML5203TRPBFCT-ND
  别名：IRLML5203TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.25W（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.2A（Ta） 1.25W（Ta） Micro3?/SOT-23
  
  型号：IRLML2502TRPBF
  仓库库存编号：IRLML2502PBFCT-ND
  别名：*IRLML2502TRPBF
  IRLML2502PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.25W（Ta）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.8A（Ta） 1.25W（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：MGSF2N02ELT1G
  仓库库存编号：MGSF2N02ELT1GOSCT-ND
  别名：MGSF2N02ELT1GOS
  MGSF2N02ELT1GOS-ND
  MGSF2N02ELT1GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.25W（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 12V 10A UDFN6B
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Ta） 1.25W（Ta） 6-UDFNB（2x2）
  
  型号：SSM6J512NU,LF
  仓库库存编号：SSM6J512NULFCT-ND
  别名：SSM6J512NULFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.25W（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 20V 4.6A SOT-26
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.6A（Ta） 1.25W（Ta） SOT-26
  
  型号：DMP2066LDM-7
  仓库库存编号：DMP2066LDMDICT-ND
  别名：DMP2066LDMDICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.25W（Ta）,
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• Micro Commercial Co
  MOSFET N-CH 20V 3A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Ta） 1.25W（Ta） SOT-23
  
  型号：SI2302-TP
  仓库库存编号：SI2302-TPMSCT-ND
  别名：SI2302-TPMSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.25W（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET NCH 30V 15A UDFNB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta） 1.25W（Ta） 6-UDFNB（2x2）
  
  型号：SSM6K513NU,LF
  仓库库存编号：SSM6K513NULFCT-ND
  别名：SSM6K513NULFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.25W（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Ta） 1.25W（Ta） TSMT6（SC-95）
  
  型号：RTQ045N03TR
  仓库库存编号：RTQ045N03CT-ND
  别名：RTQ045N03CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.25W（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 2.3A SOT-23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.3A（Ta） 1.25W（Ta） Micro3?/SOT-23
  
  型号：IRLML9303TRPBF
  仓库库存编号：IRLML9303TRPBFCT-ND
  别名：IRLML9303TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.25W（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 5.8A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.8A（Ta） 1.25W（Ta） SOT-23
  
  型号：IRFML8244TRPBF
  仓库库存编号：IRFML8244TRPBFCT-ND
  别名：IRFML8244TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.25W（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 5A TSMT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Ta） 1.25W（Ta） TSMT6（SC-95）
  
  型号：RQ6C050UNTR
  仓库库存编号：RQ6C050UNCT-ND
  别名：RQ6C050UNTRCT
  RQ6C050UNTRCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.25W（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Ta） 1.25W（Ta） TSMT6（SC-95）
  
  型号：RTQ020N03TR
  仓库库存编号：RTQ020N03CT-ND
  别名：RTQ020N03CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.25W（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Ta） 1.25W（Ta） Micro3?/SOT-23
  
  型号：IRLML5203GTRPBF
  仓库库存编号：IRLML5203GTRPBFCT-ND
  别名：IRLML5203GTRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.25W（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Ta） 1.25W（Ta） TSMT5
  
  型号：QS5U13TR
  仓库库存编号：QS5U13CT-ND
  别名：QS5U13CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.25W（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 2A TSMT5
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta） 1.25W（Ta） TSMT5
  
  型号：QS5U28TR
  仓库库存编号：QS5U28CT-ND
  别名：QS5U28CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.25W（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Ta） 1.25W（Ta） TSMT6（SC-95）
  
  型号：RUQ050N02TR
  仓库库存编号：RUQ050N02CT-ND
  别名：RUQ050N02CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.25W（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 20V 4.23A TSOT26
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.23A（Ta） 1.25W（Ta） TSOT-26
  
  型号：DMP2305UVT-7
  仓库库存编号：DMP2305UVT-7DICT-ND
  别名：DMP2305UVT-7DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.25W（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 20V 3.4A SOT-26
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.4A（Ta） 1.25W（Ta） SOT-26
  
  型号：DMP2130LDM-7
  仓库库存编号：DMP2130LDMDICT-ND
  别名：DMP2130LDMDICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.25W（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 1A TSMT6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1A（Ta） 1.25W（Ta） TSMT6（SC-95）
  
  型号：QS6U24TR
  仓库库存编号：QS6U24CT-ND
  别名：QS6U24CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.25W（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.5A（Ta） 1.25W（Ta） TSMT6（SC-95）
  
  型号：RZQ045P01TR
  仓库库存编号：RZQ045P01CT-ND
  别名：RZQ045P01CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.25W（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 2.4A TSST8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.4A（Ta） 1.25W（Ta） 8-TSST
  
  型号：TT8U1TR
  仓库库存编号：TT8U1CT-ND
  别名：TT8U1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.25W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 500MA 0806
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 500mA（Ta） 1.25W（Ta） PowerPAK? 0806
  
  型号：SIUD403ED-T1-GE3
  仓库库存编号：SIUD403ED-T1-GE3CT-ND
  别名：SIUD403ED-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.25W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 12V 500MA 0806
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12V 500mA（Tc） 1.25W（Ta） PowerPAK? 0806
  
  型号：SIUD412ED-T1-GE3
  仓库库存编号：SIUD412ED-T1-GE3CT-ND
  别名：SIUD412ED-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.25W（Ta）,
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