以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 5.6A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 5.6A（Ta） 1.25W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI9424BDY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI9424BDY-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.25W（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 3.2A TSM
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 3.2A（Ta） 1.25W（Ta） TSM
  
  型号：SSM3K01T(TE85L,F)
  仓库库存编号：SSM3K01T(TE85LF)CT-ND
  别名：SSM3K01T(TE85LF)CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.25W（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 5A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 5A（Ta） 1.25W（Ta） 6-TSOP
  
  型号：AO6402L
  仓库库存编号：AO6402L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.25W（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 1.7A（Ta） 1.25W（Ta） Micro8?
  
  型号：IRF7524D1TR
  仓库库存编号：IRF7524D1CT-ND
  别名：*IRF7524D1TR
  IRF7524D1
  IRF7524D1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.25W（Ta）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 4.2A（Ta） 1.25W（Ta） Micro3?/SOT-23
  
  型号：IRLML2502TR
  仓库库存编号：IRLML2502CT-ND
  别名：*IRLML2502TR
  IRLML2502
  IRLML2502-ND
  IRLML2502CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.25W（Ta）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2.7A（Ta） 1.25W（Ta） Micro8?
  
  型号：IRF7523D1
  仓库库存编号：IRF7523D1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.25W（Ta）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 3A（Ta） 1.25W（Ta） Micro3?/SOT-23
  
  型号：IRLML5203
  仓库库存编号：IRLML5203-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.25W（Ta）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 2A（Ta） 1.25W（Ta） Micro8?
  
  型号：IRF7526D1
  仓库库存编号：IRF7526D1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.25W（Ta）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2.7A（Ta） 1.25W（Ta） Micro8?
  
  型号：IRF7523D1TR
  仓库库存编号：IRF7523D1TR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.25W（Ta）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 2A（Ta） 1.25W（Ta） Micro8?
  
  型号：IRF7526D1TR
  仓库库存编号：IRF7526D1TR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.25W（Ta）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 4.3A MICRO8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4.3A（Ta） 1.25W（Ta） Micro8?
  
  型号：IRF7534D1TR
  仓库库存编号：IRF7534D1CT-ND
  别名：*IRF7534D1TR
  IRF7534D1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.25W（Ta）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 4.3A MICRO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4.3A（Ta） 1.25W（Ta） Micro8?
  
  型号：IRF7534D1PBF
  仓库库存编号：IRF7534D1PBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.25W（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2.7A（Ta） 1.25W（Ta） Micro8?
  
  型号：IRF7523D1TRPBF
  仓库库存编号：IRF7523D1TRPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.25W（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 1.7A（Ta） 1.25W（Ta） 8-uSMD
  
  型号：IRF7524D1GTRPBF
  仓库库存编号：IRF7524D1GTRPBFCT-ND
  别名：IRF7524D1GTRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.25W（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 1.7A（Ta） 1.25W（Ta） Micro8?
  
  型号：IRF7524D1TRPBF
  仓库库存编号：IRF7524D1TRPBFCT-ND
  别名：IRF7524D1TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1.25W（Ta）,
• 无铅
• 搜索