产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 360mW(Ta),
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 0.3A DFN0806-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 300mA(Ta) 360mW(Ta) X2-DFN0806-3
型号:
DMP32D5LFA-7B
仓库库存编号:
DMP32D5LFA-7BDICT-ND
别名:DMP32D5LFA-7BDICT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 360mW(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 0.6A X2DFN-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600mA(Ta) 360mW(Ta) X2-DFN0806-3
型号:
DMN2550UFA-7B
仓库库存编号:
DMN2550UFA-7BDICT-ND
别名:DMN2550UFA-7BDICT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 360mW(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 12V 0.2A X2DFN-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 200mA(Ta) 360mW(Ta) X2-DFN0806-3
型号:
DMP1555UFA-7B
仓库库存编号:
DMP1555UFA-7BDICT-ND
别名:DMP1555UFA-7BDICT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 360mW(Ta),
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 115mA(Tj) 360mW(Ta) SOT-23(TO-236AB)
型号:
2N7002-G
仓库库存编号:
2N7002-GMCCT-ND
别名:2N7002-GMCCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 360mW(Ta),
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 40V 0.16A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 160mA(Tj) 360mW(Ta) TO-236AB(SOT23)
型号:
TP2104K1-G
仓库库存编号:
TP2104K1-GCT-ND
别名:TP2104K1-GCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 360mW(Ta),
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 60V 0.12A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 120mA(Tj) 360mW(Ta) TO-236AB(SOT23)
型号:
TP0610T-G
仓库库存编号:
TP0610T-GCT-ND
别名:TP0610T-GCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 360mW(Ta),
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 350V 0.085A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 85mA(Tj) 360mW(Ta) TO-236AB(SOT23)
型号:
TP5335K1-G
仓库库存编号:
TP5335K1-GCT-ND
别名:TP5335K1-GCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 360mW(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 200mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
SN7002NH6327XTSA1
仓库库存编号:
SN7002NH6327XTSA1CT-ND
别名:SN7002NH6327XTSA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 360mW(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 230mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS138NH6433XTMA1
仓库库存编号:
BSS138NH6433XTMA1CT-ND
别名:BSS138NH6433XTMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 360mW(Ta),
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 100V 0.12A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 120mA(Tj) 360mW(Ta) TO-236AB(SOT23)
型号:
VP2110K1-G
仓库库存编号:
VP2110K1-GCT-ND
别名:VP2110K1-GCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 360mW(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 220mA(Ta) 360mW(Ta) SOT-23-3
型号:
BSS138
仓库库存编号:
BSS138CT-ND
别名:BSS138CT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 360mW(Ta),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 450MA SOT883
详细描述:表面贴装 N 沟道 450mA(Ta) 360mW(Ta) DFN1006-3
型号:
2N7002BKM,315
仓库库存编号:
1727-4785-1-ND
别名:1727-4785-1
568-5976-1
568-5976-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 360mW(Ta),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 450MA 3DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 450mA(Ta) 360mW(Ta) 3-DFN1006B(0.6x1)
型号:
2N7002BKMB,315
仓库库存编号:
1727-1233-1-ND
别名:1727-1233-1
568-10438-1
568-10438-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 360mW(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 25V 0.145A SOT-26
详细描述:表面贴装 P 沟道 145mA(Ta) 360mW(Ta) X2-DFN0806-3
型号:
DMP213DUFA-7B
仓库库存编号:
DMP213DUFA-7B-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 360mW(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 220mA(Ta) 360mW(Ta) SOT-23
型号:
BSS138_F085
仓库库存编号:
BSS138_F085-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 360mW(Ta),
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 500V 0.013A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 13mA(Tj) 360mW(Ta) SOT-23(TO-236AB)
型号:
LND250K1-G
仓库库存编号:
LND250K1-G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 360mW(Ta),
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 250V SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 150mA(Ta) 360mW(Ta) TO-236AB(SOT23)
型号:
TN5325K1-G
仓库库存编号:
TN5325K1-G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 360mW(Ta),
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 220V 0.12A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 120mA(Tj) 360mW(Ta) TO-236AB(SOT23)
型号:
TP5322K1-G
仓库库存编号:
TP5322K1-G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 360mW(Ta),
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 350V 0.11A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 110mA(Tj) 360mW(Ta) SOT-23(TO-236AB)
型号:
TN5335K1-G
仓库库存编号:
TN5335K1-G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 360mW(Ta),
无铅
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Fairchild/Micross Components
DIE MOSFET N-CH 50V LL
详细描述:表面贴装 N 沟道 220mA(Ta) 360mW(Ta) SOT-23-3
型号:
BSS138
仓库库存编号:
BSS138-DIE-ND
别名:BSS138-DIE
BSS138-ND
FCBSS138
FCBSS138-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 360mW(Ta),
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Fairchild/Micross Components
DIE TRANS P-CH SMALL SIGNAL
详细描述:表面贴装 P 沟道 130mA(Ta) 360mW(Ta) SOT-23-3
型号:
BSS84
仓库库存编号:
BSS84-DIE-ND
别名:BSS84-DIE
BSS84-ND
FCBSS84
FCBSS84-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 360mW(Ta),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 200mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
SN7002NH6433XTMA1
仓库库存编号:
SN7002NH6433XTMA1-ND
别名:SP000924072
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 360mW(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 200mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS7728NH6327XTSA2
仓库库存编号:
BSS7728NH6327XTSA2-ND
别名:SP000929184
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 360mW(Ta),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 100mA(Ta) 360mW(Ta) SOT-223
型号:
BSS139H6906XTSA1
仓库库存编号:
BSS139H6906XTSA1-ND
别名:SP000702612
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 360mW(Ta),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 170mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS169H6906XTSA1
仓库库存编号:
BSS169H6906XTSA1-ND
别名:SP000702582
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 360mW(Ta),
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