产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.1A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
型号：
CSD13381F4
仓库库存编号：
296-38912-2-ND
别名：296-38912-2
CSD13381F4-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.3A（Ta） 500mW（Ta） X2-DFN1006-3
型号：
DMN2300UFB4-7B
仓库库存编号：
DMN2300UFB4-7BDICT-ND
别名：DMN2300UFB4-7BDICT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-DFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 1.5A（Ta） 500mW（Ta） 3-DFN1411（1.4x1.1）
型号：
DMP2104LP-7
仓库库存编号：
DMP2104LPDICT-ND
别名：DMP2104LPDICT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 1.3A SSOT-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 1.3A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
型号：
FDN352AP
仓库库存编号：
FDN352APCT-ND
别名：FDN352APCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 1.7A SSOT3
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
型号：
NDS355AN
仓库库存编号：
NDS355ANCT-ND
别名：NDS355ANCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2A SSOT3
详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
型号：
FDN340P
仓库库存编号：
FDN340PCT-ND
别名：FDN340P_F095CT
FDN340P_F095CT-ND
FDN340PCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 20V 4.2A UFM
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.2A（Ta） 500mW（Ta） UFM
型号：
SSM3K123TU,LF
仓库库存编号：
SSM3K123TULFCT-ND
别名：SSM3K123TU(T5LT)CT
SSM3K123TU(T5LT)CT-ND
SSM3K123TU(TE85L)CT
SSM3K123TU(TE85L)CT-ND
SSM3K123TULFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.9A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
型号：
FDN357N
仓库库存编号：
FDN357NCT-ND
别名：FDN357NCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.4A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
型号：
FDN302P
仓库库存编号：
FDN302PCT-ND
别名：FDN302PCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V MICROFOOT
详细描述：表面贴装 N 沟道 500mW（Ta） 4-Microfoot
型号：
SI8800EDB-T2-E1
仓库库存编号：
SI8800EDB-T2-E1CT-ND
别名：SI8800EDB-T2-E1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 3A SSOT3
详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
型号：
FDN339AN
仓库库存编号：
FDN339ANCT-ND
别名：FDN339ANCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 1.25A SSOT3
详细描述：表面贴装 P 沟道 1.25A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
型号：
FDN5618P
仓库库存编号：
FDN5618PCT-ND
别名：FDN5618PCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET P-CH 20V 3A
详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Ta） 500mW（Ta） SC-70-3（SOT323）
型号：
MTM231232LBF
仓库库存编号：
MTM231232LBFCT-ND
别名：MTM231232LBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.4A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
型号：
FDN304PZ
仓库库存编号：
FDN304PZCT-ND
别名：FDN304PZCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89
详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Ta） 500mW（Ta） MPT3
型号：
2SK3065T100
仓库库存编号：
2SK3065T100CT-ND
别名：2SK3065T100CT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89
详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Ta） 500mW（Ta） MPT3
型号：
RJP020N06T100
仓库库存编号：
RJP020N06T100CT-ND
别名：RJP020N06T100CT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 120mA（Ta） 500mW（Ta） TO-92-3
型号：
BS107P
仓库库存编号：
BS107P-ND
别名：BS107
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 20V 0.18A
详细描述：表面贴装 N 沟道 250mA（Ta） 500mW（Ta） CST3C
型号：
SSM3K35CTC,L3F
仓库库存编号：
SSM3K35CTCL3FCT-ND
别名：SSM3K35CTCL3FCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET P-CH 20V LGA
详细描述：表面贴装 P 沟道 1.6A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
型号：
CSD25483F4
仓库库存编号：
296-38917-2-ND
别名：296-38917-2
CSD25483F4-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 20V 500MA PICOSTAR
详细描述：表面贴装 N 沟道 500mA（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
型号：
CSD15380F3
仓库库存编号：
296-44373-1-ND
别名：296-44373-1
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.41A（Ta） 500mW（Ta） 3-DFN1006（1.0x0.6）
型号：
DMN1150UFB-7B
仓库库存编号：
DMN1150UFB-7BDICT-ND
别名：DMN1150UFB-7BDICT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 0.4A DFN1212-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 400mA（Ta） 500mW（Ta） X1-DFN1212-3
型号：
DMN62D1LFD-7
仓库库存编号：
DMN62D1LFD-7DICT-ND
别名：DMN62D1LFD-7DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 2A SOT23
详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS308PEH6327XTSA1
仓库库存编号：
BSS308PEH6327XTSA1CT-ND
别名：BSS308PE H6327CT
BSS308PE H6327CT-ND
BSS308PEH6327XTSA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 700MA SC59-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 700mA（Ta） 500mW（Ta） SC-59-3
型号：
DMP3030SN-7
仓库库存编号：
DMP3030SNDICT-ND
别名：DMP3030SNDICT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT
详细描述：表面贴装 N 沟道 500mW（Ta） 4-Microfoot
型号：
SI8824EDB-T2-E1
仓库库存编号：
SI8824EDB-T2-E1CT-ND
别名：SI8824EDB-T2-E1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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