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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.4A（Ta） 950mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：ZXMN2F34FHTA
  仓库库存编号：ZXMN2F34FHCT-ND
  别名：ZXMN2F34FHCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 950mW（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.8A（Ta） 950mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：ZXMN3F30FHTA
  仓库库存编号：ZXMN3F30FHCT-ND
  别名：ZXMN3F30FHCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 950mW（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 8.7A PWRDI3333-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8.7A（Ta） 950mW（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMP3036SFG-7
  仓库库存编号：DMP3036SFG-7DICT-ND
  别名：DMP3036SFG-7DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 950mW（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.8A（Ta） 950mW（Ta） SOT-23
  
  型号：ZXMP3F30FHTA
  仓库库存编号：ZXMP3F30FHTADITR-ND
  别名：ZXMP3F30FHTADI
  ZXMP3F30FHTADI-ND
  ZXMP3F30FHTADITR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 950mW（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V POWERDI3333-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8.5A（Ta） 950mW（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMP3035SFG-7
  仓库库存编号：DMP3035SFG-7DI-ND
  别名：DMP3035SFG-7DI
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 950mW（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 1.7A SOT363
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.7A（Ta） 950mW（Ta） SC-70-6（SOT-363）
  
  型号：SI1431DH-T1-E3
  仓库库存编号：SI1431DH-T1-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 950mW（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 1.7A SOT363
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.7A（Ta） 950mW（Ta） SC-70-6（SOT-363）
  
  型号：SI1431DH-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1431DH-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 950mW（Ta）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 236A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 23A（Ta），246A（Tc） 950mW（Ta） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4931NT3G
  仓库库存编号：NTMFS4931NT3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 950mW（Ta）,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 236A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 23A（Ta），246A（Tc） 950mW（Ta） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4931NT1G
  仓库库存编号：NTMFS4931NT1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 950mW（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 1.9A SC70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 1.9A（Ta） 950mW（Ta） SC-70-6（SOT-363）
  
  型号：SI1433DH-T1-E3
  仓库库存编号：SI1433DH-T1-E3CT-ND
  别名：SI1433DH-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 950mW（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT363
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2.7A（Ta） 950mW（Ta） SC-70-6（SOT-363）
  
  型号：SI1402DH-T1-E3
  仓库库存编号：SI1402DH-T1-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 950mW（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT363
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2.7A（Ta） 950mW（Ta） SC-70-6（SOT-363）
  
  型号：SI1402DH-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1402DH-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 950mW（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 1.9A SC70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 1.9A（Ta） 950mW（Ta） SC-70-6（SOT-363）
  
  型号：SI1433DH-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1433DH-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 950mW（Ta）,
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