以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 0.47A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 470mA（Ta） 390mW（Ta） SOT-23
  
  型号：DMN61D8L-7
  仓库库存编号：DMN61D8L-7DICT-ND
  别名：DMN61D8L-7DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 390mW（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 0.2A X2-DFN0606
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200mA（Ta） 390mW（Ta） X2-DFN0606-3
  
  型号：DMP32D9UFZ-7B
  仓库库存编号：DMP32D9UFZ-7BDICT-ND
  别名：DMP32D9UFZ-7BDICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 390mW（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 0.55A DMN3900
  详细描述：表面贴装 N 沟道 550mA（Ta） 390mW（Ta） X2-DFN0806-3
  
  型号：DMN3900UFA-7B
  仓库库存编号：DMN3900UFA-7BCT-ND
  别名：DMN3900UFA-7BCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 390mW（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 470mA（Ta） 390mW（Ta） SOT-23
  
  型号：DMN61D8LQ-7
  仓库库存编号：DMN61D8LQ-7DICT-ND
  别名：DMN61D8LQ-7DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 390mW（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 0.47A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 470mA（Ta） 390mW（Ta） SOT-23
  
  型号：DMN61D8L-13
  仓库库存编号：DMN61D8L-13DITR-ND
  别名：DMN61D8L-13DITR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 390mW（Ta）,
• 无铅
• 搜索